GB/T 11297.7-1989 《锑化铟单晶电阻率及霍耳系数的测试方法》-国家标准
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标准基础信息
- 标准号：GB/T 11297.7-1989
- 标准中文名称：锑化铟单晶电阻率及霍耳系数的测试方法
- 标准英文名称：Test method for resistivity and hall coefficient indium antimonide single crystals
国家标准《锑化铟单晶电阻率及霍耳系数的测试方法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，主管部门为国家标准化管理委员会。主要起草单位航空航天部8358研究所。
- 标准号
- GB/T 11297.7-1989
- 发布日期
- 1989-03-31
- 实施日期
- 1990-01-01
- 标准类别
- 方法
- 中国标准分类号
- L32
- 归口单位
- 全国半导体设备和材料标准化技术委员会
- 执行单位
- 全国半导体设备和材料标准化技术委员会
- 主管部门
- 国家标准化管理委员会
标准全文
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