GB/T 14141-1993 《硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定 直排四探针法》-国家标准
目录
标准基础信息
- 标准号：GB/T 14141-1993
- 标准中文名称：硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定 直排四探针法
- 标准英文名称：Test method for sheet resistance of silicon epitaxial，diffused and ion-implanted layersusing a collinear four-probe array
国家标准《硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定 直排四探针法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，主管部门为国家标准化管理委员会。主要起草单位峨眉半导体材料研究所。被GB/T 14141-2009GB/T 14141-2009全部代替本标准等效采用ITU国际标准：ASTM 374:1984。采标中文名称:。
- 标准号
- GB/T 14141-1993
- 发布日期
- 1993-02-06
- 实施日期
- 1993-10-01
- 废止日期
- 2010-06-01
- 标准类别
- 方法
- 中国标准分类号
- H21
- 归口单位
- 全国半导体设备和材料标准化技术委员会
- 执行单位
- 全国半导体设备和材料标准化技术委员会
- 主管部门
- 国家标准化管理委员会
标准全文
- 点击查看标准全文。