GB/T 14847-1993 《重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法》-国家标准
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标准基础信息
- 标准号：GB/T 14847-1993
- 标准中文名称：重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法
- 标准英文名称：Test method for thickness of lightly doped silicon epitaxial layers on heavily doped silicon substrates by infrared reflectance
国家标准《重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，主管部门为国家标准化管理委员会。主要起草单位机电部四十六所。被GB/T 14847-2010GB/T 14847-2010全部代替本标准等效采用ITU国际标准：ASTM F95:1989。采标中文名称:。
- 标准号
- GB/T 14847-1993
- 发布日期
- 1993-12-30
- 实施日期
- 1994-09-01
- 废止日期
- 2011-10-01
- 标准类别
- 方法
- 中国标准分类号
- H21
- 归口单位
- 全国半导体设备和材料标准化技术委员会
- 执行单位
- 全国半导体设备和材料标准化技术委员会
- 主管部门
- 国家标准化管理委员会
标准全文
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