GB/T 14863-1993 《用栅控和非栅控二极管的电压-电容关系测定硅外延层中净载流子浓度的标准方法》-国家标准
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标准基础信息
- 标准号：GB/T 14863-1993
- 标准中文名称：用栅控和非栅控二极管的电压-电容关系测定硅外延层中净载流子浓度的标准方法
- 标准英文名称：Standard test method for net carrier density in silicon epitaxial layers by voltage-capacitance of gated and ungated diodes
国家标准《用栅控和非栅控二极管的电压-电容关系测定硅外延层中净载流子浓度的标准方法》由339-1（工业和信息化部（电子））归口，主管部门为工业和信息化部（电子）。主要起草单位机械电子工业部46所和4所。被GB/T 14863-2013GB/T 14863-2013全部代替
- 标准号
- GB/T 14863-1993
- 发布日期
- 1993-12-30
- 实施日期
- 1994-10-01
- 废止日期
- 2014-08-15
- 标准类别
- 方法
- 中国标准分类号
- L41
- 归口单位
- 工业和信息化部（电子）
- 执行单位
- 工业和信息化部（电子）
- 主管部门
- 工业和信息化部（电子）
标准全文
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