GB/T 17170-1997 《非掺杂半绝缘砷化镓单晶深能级EL2浓度红外吸收测试方法》-国家标准
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标准基础信息
- 标准号：GB/T 17170-1997
- 标准中文名称：非掺杂半绝缘砷化镓单晶深能级EL2浓度红外吸收测试方法
- 标准英文名称：Test method for deep level EL2 concentration of undoped semiinsulating monocrystal gallium arsenide by measurement infra-red absorption method
国家标准《非掺杂半绝缘砷化镓单晶深能级EL2浓度红外吸收测试方法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，主管部门为国家标准化管理委员会。主要起草单位电子工业部第四十六研究所。被GB/T 17170-2015GB/T 17170-2015全部代替
- 标准号
- GB/T 17170-1997
- 发布日期
- 1997-12-22
- 实施日期
- 1998-08-01
- 废止日期
- 2016-07-01
- 标准类别
- 方法
- 中国标准分类号
- H21
- 国际标准分类号
- 29.045
29 电气工程 29.045 半导体材料 - 归口单位
- 全国半导体设备和材料标准化技术委员会
- 执行单位
- 全国半导体设备和材料标准化技术委员会
- 主管部门
- 国家标准化管理委员会
标准全文
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