收录自国家标准信息平台，认准啦(RenZhunLa.com)为执行该国家标准的产品或服务提供推介展位，欢迎留言交流。 标准基础信息 标准号：GB/T 11297.7-1989 标准中文名称：锑化铟单晶电阻率及霍耳系数的测试方法 标准英文名称：Test method for resistivity and hall coefficient indium antimonide single crystals 国家标准《锑化铟单晶电阻率及霍耳系数的测试方法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，主管部门为国家标准化管理委员会。主要起草单位航空航天部8358研究所。 收录自国家标准信息平台，认准 …
认准啦，用技术呵护全家！收录自国家标准信息平台，认准啦(RenZhunLa.com)为执行该国家标准的产品或服务提供推介展位，欢迎留言交流。 标准基础信息 标准号：GB/T 11297.6-1989 标准中文名称：锑化铟单晶位错蚀坑的腐蚀显示及测量方法 标准英文名称：Standard method for showing andmeasuring dislocation etch pits in indium antimonide single crystal 国家标准《锑化铟单晶位错蚀坑的腐蚀显示及测量方法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，主管部门为国家标准化管理委员会。主要起草单位电子十一所。 收录自国家标准信息平台，认准 …
认准啦，用技术呵护全家！收录自国家标准信息平台，认准啦(RenZhunLa.com)为执行该国家标准的产品或服务提供推介展位，欢迎留言交流。 标准基础信息 标准号：GB/T 11072-1989 标准中文名称：锑化铟多晶、单晶及切割片 标准英文名称：Indium antimonide polycrystal，single crystals and as-cut slices 国家标准《锑化铟多晶、单晶及切割片》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，主管部门为国家标准化管理委员会。主要起草单位峨嵋半导体材料研究所。被GB/T 11072-2009GB/T 11072-2009全部代替 收录自国家标准信息平台，认准 …
认准啦，用技术呵护全家！收录自国家标准信息平台，认准啦(RenZhunLa.com)为执行该国家标准的产品或服务提供推介展位，欢迎留言交流。 标准基础信息 标准号：GB/T 10118-1988 标准中文名称：高纯镓 标准英文名称：High purity gallium 国家标准《高纯镓》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，主管部门为国家标准化管理委员会。主要起草单位北京有色金属研究总院。被GB/T 10118-2009GB/T 10118-2009全部代替 收录自国家标准信息平台，认准啦(RenZhunLa.com)为执行该国家标准的产品或服务提供推介展位，欢迎留言交流。 标准号 GB/T 10118-1988 …
认准啦，用技术呵护全家！收录自国家标准信息平台，认准啦(RenZhunLa.com)为执行该国家标准的产品或服务提供推介展位，欢迎留言交流。 标准基础信息 标准号：GB/T 10117-1988 标准中文名称：高纯锑 标准英文名称：High purity antimonium 国家标准《高纯锑》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，主管部门为国家标准化管理委员会。主要起草单位峨眉半导体材料厂。被GB/T 10117-2009GB/T 10117-2009全部代替本标准非等效采用ITU国际标准：ГОСТ 1089:1982。采标中文名称:。 收录自国家标准信息平台，认准啦(RenZhunLa.com)为执行该国家标准的产品或服务提供推介展 …
认准啦，用技术呵护全家！收录自国家标准信息平台，认准啦(RenZhunLa.com)为执行该国家标准的产品或服务提供推介展位，欢迎留言交流。 标准基础信息 标准号：GB/T 9506.9-1988 标准中文名称：吸气剂装载量测试方法 标准英文名称：Test method for amount of filling getter 国家标准《吸气剂装载量测试方法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，主管部门为国家标准化管理委员会。主要起草单位电子部741厂。被GB/T 25496-2010GB/T 25496-2010全部代替 收录自国家标准信息平台，认准啦(RenZhunLa.com)为执行该国家标准的产品或服务提供推介展位，欢迎留言交 …
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