收录自国家标准信息平台，认准啦(RenZhunLa.com)为执行该国家标准的产品或服务提供推介展位，欢迎留言交流。 标准基础信息 标准号：GB/T 13843-1992 标准中文名称：蓝宝石单晶抛光衬底片 标准英文名称：Polished monocrystalline sapphire substrates 国家标准《蓝宝石单晶抛光衬底片》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，主管部门为国家标准化管理委员会。主要起草单位天津半导体技术研究所。本标准非等效采用ITU国际标准：SEMI M3:1983。采标中文名称:。 收录自国家标准信息平台，认准啦(RenZhunLa.com)为执行该国家标准的产品或服务提供推介 …
认准啦，用技术呵护全家！收录自国家标准信息平台，认准啦(RenZhunLa.com)为执行该国家标准的产品或服务提供推介展位，欢迎留言交流。 标准基础信息 标准号：GB/T 14015-1992 标准中文名称：硅-蓝宝石外延片 标准英文名称：Silicon on sapphire epitaxial wafers 国家标准《硅-蓝宝石外延片》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，主管部门为国家标准化管理委员会。主要起草单位天津半导体技术研究所。本标准非等效采用其他国际标准：SEMI M3:1983。采标中文名称:。 收录自国家标准信息平台，认准啦(RenZhunLa.com)为执行该国家标准的产品或服务提供推介展位，欢迎留言交流。 标准 …
认准啦，用技术呵护全家！收录自国家标准信息平台，认准啦(RenZhunLa.com)为执行该国家标准的产品或服务提供推介展位，欢迎留言交流。 标准基础信息 标准号：GB/T 14146-1993 标准中文名称：硅外延层载流子浓度测定 汞探针电容-电压法 标准英文名称：Silicon epitaxial layers--Determination of carrier concentration--Mercury probe Valtage-capacitance method 国家标准《硅外延层载流子浓度测定 汞探针电容-电压法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，主管部门为国家标准化管理委员会。主要起草单位上海市有色金属总公司。 …
认准啦，用技术呵护全家！收录自国家标准信息平台，认准啦(RenZhunLa.com)为执行该国家标准的产品或服务提供推介展位，欢迎留言交流。 标准基础信息 标准号：GB/T 14145-1993 标准中文名称：硅外延层堆垛层错密度测定 干涉相衬显微镜法 标准英文名称：Test method for stacking fault density of epitaxial layers of silicon by interference-contract microscopy 国家标准《硅外延层堆垛层错密度测定 干涉相衬显微镜法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，主管部门为国家标准化管理委员会。主要起草单位上海有色金属研究所。 收录自 …
认准啦，用技术呵护全家！收录自国家标准信息平台，认准啦(RenZhunLa.com)为执行该国家标准的产品或服务提供推介展位，欢迎留言交流。 标准基础信息 标准号：GB/T 14144-1993 标准中文名称：硅晶体中间隙氧含量径向变化测量方法 标准英文名称：Test method for determination of radial interstitial oxygen variation in silicon 国家标准《硅晶体中间隙氧含量径向变化测量方法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，主管部门为国家标准化管理委员会。主要起草单位中科院上海冶金研究所。被GB/T 14144-2009GB/T 14144-2009全部代替本 …
认准啦，用技术呵护全家！收录自国家标准信息平台，认准啦(RenZhunLa.com)为执行该国家标准的产品或服务提供推介展位，欢迎留言交流。 标准基础信息 标准号：GB/T 14141-1993 标准中文名称：硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定 直排四探针法 标准英文名称：Test method for sheet resistance of silicon epitaxial，diffused and ion-implanted layersusing a collinear four-probe array 国家标准《硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定 直排四探针法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，主管部门为国 …
认准啦，用技术呵护全家！收录自国家标准信息平台，认准啦(RenZhunLa.com)为执行该国家标准的产品或服务提供推介展位，欢迎留言交流。 标准基础信息 标准号：GB/T 14140.2-1993 标准中文名称：硅片直径测量方法 千分尺法 标准英文名称：Silicon slices and wafers--Measuring of diameter--Micrometer method 国家标准《硅片直径测量方法 千分尺法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，主管部门为国家标准化管理委员会。主要起草单位洛阳单晶硅厂。被GB/T 14140-2009GB/T 14140-2009全部代替 收录自国家标准信息平台，认准 …
认准啦，用技术呵护全家！收录自国家标准信息平台，认准啦(RenZhunLa.com)为执行该国家标准的产品或服务提供推介展位，欢迎留言交流。 标准基础信息 标准号：GB/T 14140.1-1993 标准中文名称：硅片直径测量方法 光学投影法 标准英文名称：Silicon slices and wafers--Measuring of diameter--Optical projecting method 国家标准《硅片直径测量方法 光学投影法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，主管部门为国家标准化管理委员会。主要起草单位洛阳单晶硅厂。被GB/T 14140-2009GB/T 14140-2009全部代替本标准等效采用ITU国际标 …
认准啦，用技术呵护全家！收录自国家标准信息平台，认准啦(RenZhunLa.com)为执行该国家标准的产品或服务提供推介展位，欢迎留言交流。 标准基础信息 标准号：GB/T 14142-1993 标准中文名称：硅外延层晶体完整性检查方法 腐蚀法 标准英文名称：Test method for crystallographic perfection of epit-axial layers in silicon by etching techniques 国家标准《硅外延层晶体完整性检查方法 腐蚀法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，主管部门为国家标准化管理委员会。主要起草单位峨眉半导体材料研究所。被GB/T …
认准啦，用技术呵护全家！收录自国家标准信息平台，认准啦(RenZhunLa.com)为执行该国家标准的产品或服务提供推介展位，欢迎留言交流。 标准基础信息 标准号：GB/T 14139-1993 标准中文名称：硅外延片 标准英文名称：Silicon epitaxial wafers 国家标准《硅外延片》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，主管部门为国家标准化管理委员会。主要起草单位上海第二冶炼厂。被GB/T 14139-2009GB/T 14139-2009全部代替本标准非等效采用ITU国际标准：SEMI S2。采标中文名称:。 收录自国家标准信息平台，认准啦(RenZhunLa.com)为执行该国家标准的产品或服务提供推介展位，欢迎 …
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