GB/T 14146-2009 《硅外延层载流子浓度测定 汞探针电容-电压法》-国家标准
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标准基础信息
- 标准号：GB/T 14146-2009
- 标准中文名称：硅外延层载流子浓度测定 汞探针电容-电压法
- 标准英文名称：Silicon epitaxial layers-determination of carrier concentration-mercury probe voltages-capacitance method
国家标准《硅外延层载流子浓度测定 汞探针电容-电压法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，主管部门为国家标准化管理委员会。主要起草单位南京国盛电子有限公司、宁波立立电子股份有限公司、信息产业部专用材料质量监督检验中心。主要起草人马林宝 、唐有青 、刘培东 、李静 、金龙 、吕立平 。全部代替GB/T 14146-1993被GB/T 14146-2021GB/T 14146-2021全部代替
- 标准号
- GB/T 14146-2009
- 发布日期
- 2009-10-30
- 实施日期
- 2010-06-01
- 废止日期
- 2021-12-01
- 全部代替标准
- GB/T 14146-1993
- 标准类别
- 方法
- 中国标准分类号
- H80
- 国际标准分类号
- 29.045
29 电气工程 29.045 半导体材料 - 归口单位
- 全国半导体设备和材料标准化技术委员会
- 执行单位
- 全国半导体设备和材料标准化技术委员会
- 主管部门
- 国家标准化管理委员会
标准全文
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