GB/T 14847-2010 《重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法》-国家标准
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标准基础信息
- 标准号：GB/T 14847-2010
- 标准中文名称：重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法
- 标准英文名称：Test mothod for thickness of lightly doped silicon epitaxial layers on heavily doped silicon substrates by infrared reflectance
国家标准《重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，主管部门为国家标准化管理委员会。主要起草单位宁波立立电子股份有限公司、信息产业部专用材料质量监督检验中心。主要起草人李慎重 、何良恩 、许峰 、刘培东 、何秀坤 。全部代替GB/T 14847-1993
- 标准号
- GB/T 14847-2010
- 发布日期
- 2011-01-10
- 实施日期
- 2011-10-01
- 全部代替标准
- GB/T 14847-1993
- 标准类别
- 方法
- 中国标准分类号
- H80
- 国际标准分类号
- 29.045
29 电气工程 29.045 半导体材料 - 归口单位
- 全国半导体设备和材料标准化技术委员会
- 执行单位
- 全国半导体设备和材料标准化技术委员会
- 主管部门
- 国家标准化管理委员会
标准全文
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