GB/T 1551-2009 《硅单晶电阻率测定方法》-国家标准
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标准基础信息
- 标准号：GB/T 1551-2009
- 标准中文名称：硅单晶电阻率测定方法
- 标准英文名称：Test method for measuring resistivity of monocrystal silicon
国家标准《硅单晶电阻率测定方法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，主管部门为国家标准化管理委员会。主要起草单位信息产业部专用材料质量监督检验中心、中国电子科技集团公司第四十六研究所。主要起草人李静 、何秀坤 、张继荣 、段曙光 。全部代替GB/T 1551-1995全部代替GB/T 1552-1995被GB/T 1551-2021GB/T 1551-2021全部代替本标准修改采用其他国际标准：SEMI MF 84-1105、SEMI MF 397-1106。采标中文名称:硅片电阻率测定四探针法、硅棒电阻率测定两探针法。
- 标准号
- GB/T 1551-2009
- 发布日期
- 2009-10-30
- 实施日期
- 2010-06-01
- 废止日期
- 2021-12-01
- 全部代替标准
- GB/T 1551-1995,GB/T 1552-1995
- 标准类别
- 方法
- 中国标准分类号
- H80
- 国际标准分类号
- 29.045
29 电气工程 29.045 半导体材料 - 归口单位
- 全国半导体设备和材料标准化技术委员会
- 执行单位
- 全国半导体设备和材料标准化技术委员会
- 主管部门
- 国家标准化管理委员会
标准全文
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