GB/T 24576-2009 《高分辩率X射线衍射测量GaAs衬底生长的AlGaAs中Al成分的试验方法》-国家标准
目录
标准基础信息
- 标准号：GB/T 24576-2009
- 标准中文名称：高分辩率X射线衍射测量GaAs衬底生长的AlGaAs中Al成分的试验方法
- 标准英文名称：Test method for measuring the Al fraction in AlGaAs on GaAs substrates by high resolution X-ray diffraction
国家标准《高分辩率X射线衍射测量GaAs衬底生长的AlGaAs中Al成分的试验方法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，主管部门为国家标准化管理委员会。主要起草单位信息产业部专用材料质量监督检验中心、中国电子科技集团公司第四十六研究所。主要起草人章安辉 、黄庆涛 、何秀坤 。本标准等同采用其他国际标准：SMEI M63-0306。采标中文名称:准则：采用高分辨率X光衍射法测量砷化镓衬底上AlGaAs中Al百分含量的测试方法。
- 标准号
- GB/T 24576-2009
- 发布日期
- 2009-10-30
- 实施日期
- 2010-06-01
- 标准类别
- 方法
- 中国标准分类号
- H80
- 国际标准分类号
- 29.045
29 电气工程 29.045 半导体材料 - 归口单位
- 全国半导体设备和材料标准化技术委员会
- 执行单位
- 全国半导体设备和材料标准化技术委员会
- 主管部门
- 国家标准化管理委员会
标准全文
- 点击查看标准全文。