GB/T 24581-2009 《低温傅立叶变换红外光谱法测量硅单晶中III、V族杂质含量的测试方法》-国家标准
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标准基础信息
- 标准号：GB/T 24581-2009
- 标准中文名称：低温傅立叶变换红外光谱法测量硅单晶中III、V族杂质含量的测试方法
- 标准英文名称：Test method for low temperature FT-IR analysis of single crystal silicon for Ⅲ-Ⅴ impurities
国家标准《低温傅立叶变换红外光谱法测量硅单晶中III、V族杂质含量的测试方法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，主管部门为国家标准化管理委员会。主要起草单位四川新光硅业科技有限责任公司。主要起草人梁洪 、过惠芬 、吴道荣 。被GB/T 24581-2022GB/T 24581-2022全部代替本标准等同采用其他国际标准：SEMI MF 1630-0704。采标中文名称:低温傅立叶变换红外光谱法测量硅单晶中III、V族杂质含量的测试方法。
- 标准号
- GB/T 24581-2009
- 发布日期
- 2009-10-30
- 实施日期
- 2010-06-01
- 废止日期
- 2022-10-01
- 标准类别
- 方法
- 中国标准分类号
- H80
- 国际标准分类号
- 29.045
29 电气工程 29.045 半导体材料 - 归口单位
- 全国半导体设备和材料标准化技术委员会
- 执行单位
- 全国半导体设备和材料标准化技术委员会
- 主管部门
- 国家标准化管理委员会
标准全文
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