GB/T 25188-2010 《硅晶片表面超薄氧化硅层厚度的测量 X射线光电子能谱法》-国家标准
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标准基础信息
- 标准号：GB/T 25188-2010
- 标准中文名称：硅晶片表面超薄氧化硅层厚度的测量 X射线光电子能谱法
- 标准英文名称：Thickness measurements for ultrathin silicon oxide layers on silicon wafers X-ray photoelectron spectroscopy
国家标准《硅晶片表面超薄氧化硅层厚度的测量 X射线光电子能谱法》由TC38（全国微束分析标准化技术委员会）归口，TC38SC2（全国微束分析标准化技术委员会表面化学分析分会）执行，主管部门为国家标准化管理委员会。主要起草单位中国科学院化学研究所、中国计量科学研究院。主要起草人刘芬 、王海 、赵良仲 、宋小平 、赵志娟 、邱丽美 。
- 标准号
- GB/T 25188-2010
- 发布日期
- 2010-09-26
- 实施日期
- 2011-08-01
- 标准类别
- 方法
- 中国标准分类号
- G04
- 国际标准分类号
- 71.040.40
71 化工技术 71.040 分析化学 71.040.40 化学分析 - 归口单位
- 全国微束分析标准化技术委员会
- 执行单位
- 全国微束分析标准化技术委员会表面化学分析分会
- 主管部门
- 国家标准化管理委员会
标准全文
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