GB/T 26066-2010 《硅晶片上浅腐蚀坑检测的测试方法》-国家标准

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  • 标准号:GB/T 26066-2010
  • 标准中文名称:硅晶片上浅腐蚀坑检测的测试方法
  • 标准英文名称:practice for shallow etch pit detection on silicon

国家标准《硅晶片上浅腐蚀坑检测的测试方法》由TC203(全国半导体设备和材料标准化技术委员会)归口,主管部门为国家标准化管理委员会。主要起草单位洛阳单晶硅有限责任公司。主要起草人田素霞 、张静雯 、王文卫 、周涛 。


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标准号
GB/T 26066-2010
发布日期
2011-01-10
实施日期
2011-10-01
标准类别
方法
中国标准分类号
H80
国际标准分类号
29.045
29 电气工程
29.045 半导体材料
归口单位
全国半导体设备和材料标准化技术委员会
执行单位
全国半导体设备和材料标准化技术委员会
主管部门
国家标准化管理委员会

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