GB/T 26066-2010 《硅晶片上浅腐蚀坑检测的测试方法》-国家标准
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标准基础信息
- 标准号:GB/T 26066-2010
- 标准中文名称:硅晶片上浅腐蚀坑检测的测试方法
- 标准英文名称:practice for shallow etch pit detection on silicon
国家标准《硅晶片上浅腐蚀坑检测的测试方法》由TC203(全国半导体设备和材料标准化技术委员会)归口,主管部门为国家标准化管理委员会。主要起草单位洛阳单晶硅有限责任公司。主要起草人田素霞 、张静雯 、王文卫 、周涛 。
- 标准号
- GB/T 26066-2010
- 发布日期
- 2011-01-10
- 实施日期
- 2011-10-01
- 标准类别
- 方法
- 中国标准分类号
- H80
- 国际标准分类号
- 29.045
29 电气工程 29.045 半导体材料 - 归口单位
- 全国半导体设备和材料标准化技术委员会
- 执行单位
- 全国半导体设备和材料标准化技术委员会
- 主管部门
- 国家标准化管理委员会
标准全文
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