GB/T 6616-2009 《半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法 非接触涡流法》-国家标准
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标准基础信息
- 标准号：GB/T 6616-2009
- 标准中文名称：半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法 非接触涡流法
- 标准英文名称：Test methods for measuring resistivity of semiconductor wafers or sheet resistance of semiconductor films with a noncontact eddy-current gauge
国家标准《半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法 非接触涡流法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，TC203SC2（全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会）执行，主管部门为国家标准化管理委员会。主要起草单位万向硅峰电子股份有限公司。主要起草人楼春兰 、朱兴萍 、方强 、汪新平 、戴文仙 。全部代替GB/T 6616-1995本标准修改采用其他国际标准：SEMI MF673-1105。采标中文名称:用非接触涡流法测定半导体硅片电阻率和薄膜薄层电阻的方法。
- 标准号
- GB/T 6616-2009
- 发布日期
- 2009-10-30
- 实施日期
- 2010-06-01
- 全部代替标准
- GB/T 6616-1995
- 标准类别
- 方法
- 中国标准分类号
- H80
- 国际标准分类号
- 29.045
29 电气工程 29.045 半导体材料 - 归口单位
- 全国半导体设备和材料标准化技术委员会
- 执行单位
- 全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会
- 主管部门
- 国家标准化管理委员会
标准全文
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