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  • GB/T 14264-2009 《半导体材料术语》-国家标准

    calendar 2023-03-05 · 大约 1 分钟 · GB/T 14264-2009 半导体材料术语 全国半导体设备和材料标准化技术委员会

    收录自国家标准信息平台,认准啦(RenZhunLa.com)为执行该国家标准的产品或服务提供推介展位,欢迎留言交流。 标准基础信息 标准号:GB/T 14264-2009 标准中文名称:半导体材料术语 标准英文名称:Semiconductor materials-terms and definitions 国家标准《半导体材料术语》由TC203(全国半导体设备和材料标准化技术委员会)归口,主管部门为国家标准化管理委员会。主要起草单位中国有色金属工业标准计量质量研究所、有研半导体材料股份有限公司、杭州海纳半导体有限公司、国瑞电子材料有限责任公司等。主要起草人孙燕 、黄笑容 、向磊 、翟富义 、卢立延 、郑琪等 。全部代替GB/T …


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  • GB/T 6616-2009 《半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法 非接触涡流法》-国家标准

    calendar 2023-03-05 · 大约 1 分钟 · GB/T 6616-2009 半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法 非接触涡流法 全国半导体设备和材料标准化技术委员会

    收录自国家标准信息平台,认准啦(RenZhunLa.com)为执行该国家标准的产品或服务提供推介展位,欢迎留言交流。 标准基础信息 标准号:GB/T 6616-2009 标准中文名称:半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法 非接触涡流法 标准英文名称:Test methods for measuring resistivity of semiconductor wafers or sheet resistance of semiconductor films with a noncontact eddy-current gauge 国家标准《半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法 非接触涡流法》由TC203(全国半导体设备和材料 …


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  • GB/T 1558-2009 《硅中代位碳原子含量 红外吸收测量方法》-国家标准

    calendar 2023-03-05 · 大约 1 分钟 · GB/T 1558-2009 硅中代位碳原子含量 红外吸收测量方法 全国半导体设备和材料标准化技术委员会

    收录自国家标准信息平台,认准啦(RenZhunLa.com)为执行该国家标准的产品或服务提供推介展位,欢迎留言交流。 标准基础信息 标准号:GB/T 1558-2009 标准中文名称:硅中代位碳原子含量 红外吸收测量方法 标准英文名称:Test method for substitutional atomic carbon concent of silicon by infrared absorption 国家标准《硅中代位碳原子含量 红外吸收测量方法》由TC203(全国半导体设备和材料标准化技术委员会)归口,主管部门为国家标准化管理委员会。主要起草单位信息产业部专用材料质量监督检验中心、中国电子科技集团公司第四十六研究所、峨嵋半导 …


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  • GB/T 6619-2009 《硅片弯曲度测试方法》-国家标准

    calendar 2023-03-05 · 大约 1 分钟 · GB/T 6619-2009 硅片弯曲度测试方法 全国半导体设备和材料标准化技术委员会

    收录自国家标准信息平台,认准啦(RenZhunLa.com)为执行该国家标准的产品或服务提供推介展位,欢迎留言交流。 标准基础信息 标准号:GB/T 6619-2009 标准中文名称:硅片弯曲度测试方法 标准英文名称:Test methods for bow of silicon wafers 国家标准《硅片弯曲度测试方法》由TC203(全国半导体设备和材料标准化技术委员会)归口,主管部门为国家标准化管理委员会。主要起草单位洛阳单晶硅有限责任公司。主要起草人刘玉芹 、蒋建国 、冯校亮 、张静雯 。全部代替GB/T 6619-1995本标准修改采用其他国际标准:SEMI MF534-0706。采标中文名称:硅片弯曲度测试方法。 收录自 …


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  • GB/T 6620-2009 《硅片翘曲度非接触式测试方法》-国家标准

    calendar 2023-03-05 · 大约 1 分钟 · GB/T 6620-2009 硅片翘曲度非接触式测试方法 全国半导体设备和材料标准化技术委员会

    收录自国家标准信息平台,认准啦(RenZhunLa.com)为执行该国家标准的产品或服务提供推介展位,欢迎留言交流。 标准基础信息 标准号:GB/T 6620-2009 标准中文名称:硅片翘曲度非接触式测试方法 标准英文名称:Test method for measuring warp on silicon slices by noncontact scanning 国家标准《硅片翘曲度非接触式测试方法》由TC203(全国半导体设备和材料标准化技术委员会)归口,主管部门为国家标准化管理委员会。主要起草单位洛阳单晶硅有限责任公司、万向硅峰电子股份有限公司。主要起草人张静雯 、蒋建国 、田素霞 、刘玉芹 、楼春兰 。全部代替GB/T …


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  • GB/T 6618-2009 《硅片厚度和总厚度变化测试方法》-国家标准

    calendar 2023-03-05 · 大约 1 分钟 · GB/T 6618-2009 硅片厚度和总厚度变化测试方法 全国半导体设备和材料标准化技术委员会

    收录自国家标准信息平台,认准啦(RenZhunLa.com)为执行该国家标准的产品或服务提供推介展位,欢迎留言交流。 标准基础信息 标准号:GB/T 6618-2009 标准中文名称:硅片厚度和总厚度变化测试方法 标准英文名称:Test method for thickness and total thickness variation of silicon slices 国家标准《硅片厚度和总厚度变化测试方法》由TC203(全国半导体设备和材料标准化技术委员会)归口,主管部门为国家标准化管理委员会。主要起草单位北京有研半导体材料股份有限公司。主要起草人卢立延 、孙燕 、杜娟 。全部代替GB/T 6618-1995 收录自国家标准信 …


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  • GB/T 6617-2009 《硅片电阻率测定 扩展电阻探针法》-国家标准

    calendar 2023-03-05 · 大约 1 分钟 · GB/T 6617-2009 硅片电阻率测定 扩展电阻探针法 全国半导体设备和材料标准化技术委员会

    收录自国家标准信息平台,认准啦(RenZhunLa.com)为执行该国家标准的产品或服务提供推介展位,欢迎留言交流。 标准基础信息 标准号:GB/T 6617-2009 标准中文名称:硅片电阻率测定 扩展电阻探针法 标准英文名称:Test method for measuring resistivity of silicon wafer using spreading resistance probe 国家标准《硅片电阻率测定 扩展电阻探针法》由TC203(全国半导体设备和材料标准化技术委员会)归口,主管部门为国家标准化管理委员会。主要起草单位南京国盛电子有限公司、宁波立立电子股份有限公司。主要起草人马林宝 、骆红 、刘培东 、谭卫 …


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  • GB/T 24580-2009 《重掺n型硅衬底中硼沾污的二次离子质谱检测方法》-国家标准

    calendar 2023-03-05 · 大约 1 分钟 · GB/T 24580-2009 重掺n型硅衬底中硼沾污的二次离子质谱检测方法 全国半导体设备和材料标准化技术委员会

    收录自国家标准信息平台,认准啦(RenZhunLa.com)为执行该国家标准的产品或服务提供推介展位,欢迎留言交流。 标准基础信息 标准号:GB/T 24580-2009 标准中文名称:重掺n型硅衬底中硼沾污的二次离子质谱检测方法 标准英文名称:Test method for measuring boron contamination in heavily doped n-type silicon substrates by secondary ion mass spectrometry 国家标准《重掺n型硅衬底中硼沾污的二次离子质谱检测方法》由TC203(全国半导体设备和材料标准化技术委员会)归口,主管部门为国家标准化管理委员会。 …


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  • GB/T 24579-2009 《酸浸取 原子吸收光谱法测定多晶硅表面金属污染物》-国家标准

    calendar 2023-03-05 · 大约 1 分钟 · GB/T 24579-2009 酸浸取 原子吸收光谱法测定多晶硅表面金属污染物 全国半导体设备和材料标准化技术委员会

    收录自国家标准信息平台,认准啦(RenZhunLa.com)为执行该国家标准的产品或服务提供推介展位,欢迎留言交流。 标准基础信息 标准号:GB/T 24579-2009 标准中文名称:酸浸取 原子吸收光谱法测定多晶硅表面金属污染物 标准英文名称:Test method for measuring surface metal contamination of polycrystalline silicon by acid extraction-atomic absorption spectroscopy 国家标准《酸浸取 原子吸收光谱法测定多晶硅表面金属污染物》由TC203(全国半导体设备和材料标准化技术委员会)归口,主管部门为国家 …


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  • GB/T 24577-2009 《热解吸气相色谱法测定硅片表面的有机污染物》-国家标准

    calendar 2023-03-05 · 大约 1 分钟 · GB/T 24577-2009 热解吸气相色谱法测定硅片表面的有机污染物 全国半导体设备和材料标准化技术委员会

    收录自国家标准信息平台,认准啦(RenZhunLa.com)为执行该国家标准的产品或服务提供推介展位,欢迎留言交流。 标准基础信息 标准号:GB/T 24577-2009 标准中文名称:热解吸气相色谱法测定硅片表面的有机污染物 标准英文名称:Test methods for analyzing organic contaminants on silicon wafer surfaces by thermal desorption gas chromatography 国家标准《热解吸气相色谱法测定硅片表面的有机污染物》由TC203(全国半导体设备和材料标准化技术委员会)归口,主管部门为国家标准化管理委员会。主要起草单位信息产业部专用 …


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