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  • GB/T 24576-2009 《高分辩率X射线衍射测量GaAs衬底生长的AlGaAs中Al成分的试验方法》-国家标准

    calendar 2023-03-05 · 大约 1 分钟 · GB/T 24576-2009 高分辩率X射线衍射测量GaAs衬底生长的AlGaAs中Al成分的试验方法 全国半导体设备和材料标准化技术委员会

    收录自国家标准信息平台,认准啦(RenZhunLa.com)为执行该国家标准的产品或服务提供推介展位,欢迎留言交流。 标准基础信息 标准号:GB/T 24576-2009 标准中文名称:高分辩率X射线衍射测量GaAs衬底生长的AlGaAs中Al成分的试验方法 标准英文名称:Test method for measuring the Al fraction in AlGaAs on GaAs substrates by high resolution X-ray diffraction 国家标准《高分辩率X射线衍射测量GaAs衬底生长的AlGaAs中Al成分的试验方法》由TC203(全国半导体设备和材料标准化技术委员会)归口,主管部门 …


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  • GB/T 10118-2009 《高纯镓》-国家标准

    calendar 2023-03-05 · 大约 1 分钟 · GB/T 10118-2009 高纯镓 全国半导体设备和材料标准化技术委员会

    收录自国家标准信息平台,认准啦(RenZhunLa.com)为执行该国家标准的产品或服务提供推介展位,欢迎留言交流。 标准基础信息 标准号:GB/T 10118-2009 标准中文名称:高纯镓 标准英文名称:High purity gallium 国家标准《高纯镓》由TC203(全国半导体设备和材料标准化技术委员会)归口,主管部门为国家标准化管理委员会。主要起草单位国瑞电子材料有限责任公司、南京金美镓业有限公司。主要起草人于洪国 、邢志国 。全部代替GB/T 10118-1988 收录自国家标准信息平台,认准啦(RenZhunLa.com)为执行该国家标准的产品或服务提供推介展位,欢迎留言交流。 标准号 GB/T …


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  • GB/T 11072-2009 《锑化铟多晶、单晶及切割片》-国家标准

    calendar 2023-03-05 · 大约 1 分钟 · GB/T 11072-2009 锑化铟多晶、单晶及切割片 全国半导体设备和材料标准化技术委员会

    收录自国家标准信息平台,认准啦(RenZhunLa.com)为执行该国家标准的产品或服务提供推介展位,欢迎留言交流。 标准基础信息 标准号:GB/T 11072-2009 标准中文名称:锑化铟多晶、单晶及切割片 标准英文名称:Indium antimonide polycrystal,single crystals and as-cut slices 国家标准《锑化铟多晶、单晶及切割片》由TC203(全国半导体设备和材料标准化技术委员会)归口,主管部门为国家标准化管理委员会。主要起草单位峨嵋半导体材料厂。主要起草人王炎 、何兰英 、张梅 。全部代替GB/T 11072-1989 收录自国家标准信息平台,认准 …


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  • GB/T 13387-2009 《硅及其它电子材料晶片参考面长度测量方法》-国家标准

    calendar 2023-03-05 · 大约 1 分钟 · GB/T 13387-2009 硅及其它电子材料晶片参考面长度测量方法 全国半导体设备和材料标准化技术委员会

    收录自国家标准信息平台,认准啦(RenZhunLa.com)为执行该国家标准的产品或服务提供推介展位,欢迎留言交流。 标准基础信息 标准号:GB/T 13387-2009 标准中文名称:硅及其它电子材料晶片参考面长度测量方法 标准英文名称:Test method for measuring flat length wafers of silicon and other electronic materials 国家标准《硅及其它电子材料晶片参考面长度测量方法》由TC203(全国半导体设备和材料标准化技术委员会)归口,主管部门为国家标准化管理委员会。主要起草单位有研半导体材料股份有限公司。主要起草人杜娟 、孙燕 、卢立延 。全部代 …


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  • GB/T 24575-2009 《硅和外延片表面Na、Al、K和Fe的二次离子质谱检测方法》-国家标准

    calendar 2023-03-05 · 大约 1 分钟 · GB/T 24575-2009 硅和外延片表面Na、Al、K和Fe的二次离子质谱检测方法 全国半导体设备和材料标准化技术委员会

    收录自国家标准信息平台,认准啦(RenZhunLa.com)为执行该国家标准的产品或服务提供推介展位,欢迎留言交流。 标准基础信息 标准号:GB/T 24575-2009 标准中文名称:硅和外延片表面Na、Al、K和Fe的二次离子质谱检测方法 标准英文名称:Test method for measuring surface sodium,aluminum,potassium,and iron on silicon and epi substrates by secondary ion mass spectrometry 国家标准《硅和外延片表面Na、Al、K和Fe的二次离子质谱检测方法》由TC203(全国半导体设备和材料标准化技术委 …


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  • GB/T 24574-2009 《硅单晶中Ⅲ-Ⅴ族杂质的光致发光测试方法》-国家标准

    calendar 2023-03-05 · 大约 1 分钟 · GB/T 24574-2009 硅单晶中Ⅲ-Ⅴ族杂质的光致发光测试方法 全国半导体设备和材料标准化技术委员会

    收录自国家标准信息平台,认准啦(RenZhunLa.com)为执行该国家标准的产品或服务提供推介展位,欢迎留言交流。 标准基础信息 标准号:GB/T 24574-2009 标准中文名称:硅单晶中Ⅲ-Ⅴ族杂质的光致发光测试方法 标准英文名称:Test methods for photoluminescence analysis of single crystal silicon for III-V impurities 国家标准《硅单晶中Ⅲ-Ⅴ族杂质的光致发光测试方法》由TC203(全国半导体设备和材料标准化技术委员会)归口,主管部门为国家标准化管理委员会。主要起草单位信息产业部专用材料质量监督检验中心、中国电子科技集团公司第四十六研 …


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  • GB/T 1555-2009 《半导体单晶晶向测定方法》-国家标准

    calendar 2023-03-05 · 大约 1 分钟 · GB/T 1555-2009 半导体单晶晶向测定方法 全国半导体设备和材料标准化技术委员会

    收录自国家标准信息平台,认准啦(RenZhunLa.com)为执行该国家标准的产品或服务提供推介展位,欢迎留言交流。 标准基础信息 标准号:GB/T 1555-2009 标准中文名称:半导体单晶晶向测定方法 标准英文名称:Testing methods for determining the orientation of a semiconductor single crystal 国家标准《半导体单晶晶向测定方法》由TC203(全国半导体设备和材料标准化技术委员会)归口,TC203SC2(全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会)执行,主管部门为国家标准化管理委员会。主要起草单位峨嵋半导体材料厂。主要起草人杨旭 、何兰英 。全 …


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  • GB/T 14141-2009 《硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定 直排四探针法》-国家标准

    calendar 2023-03-05 · 大约 1 分钟 · GB/T 14141-2009 硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定 直排四探针法 全国半导体设备和材料标准化技术委员会

    收录自国家标准信息平台,认准啦(RenZhunLa.com)为执行该国家标准的产品或服务提供推介展位,欢迎留言交流。 标准基础信息 标准号:GB/T 14141-2009 标准中文名称:硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定 直排四探针法 标准英文名称:Test method for sheet resistance of silicon epitaxial, diffused and ion-implanted layers using a collinear four-probe array 国家标准《硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定 直排四探针法》由TC203(全国半导体设备和材料标准化技术委员会)归口,主管部门 …


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  • GB/T 6624-2009 《硅抛光片表面质量目测检验方法》-国家标准

    calendar 2023-03-05 · 大约 1 分钟 · GB/T 6624-2009 硅抛光片表面质量目测检验方法 全国半导体设备和材料标准化技术委员会

    收录自国家标准信息平台,认准啦(RenZhunLa.com)为执行该国家标准的产品或服务提供推介展位,欢迎留言交流。 标准基础信息 标准号:GB/T 6624-2009 标准中文名称:硅抛光片表面质量目测检验方法 标准英文名称:Standard method for measuring the surface quality of polished silicon slices by visual inspection 国家标准《硅抛光片表面质量目测检验方法》由TC203(全国半导体设备和材料标准化技术委员会)归口,主管部门为国家标准化管理委员会。主要起草单位上海合晶硅材料有限公司。主要起草人徐新华 、王珍 。全部代替GB/T …


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  • GB/T 6621-2009 《硅片表面平整度测试方法》-国家标准

    calendar 2023-03-05 · 大约 1 分钟 · GB/T 6621-2009 硅片表面平整度测试方法 全国半导体设备和材料标准化技术委员会

    收录自国家标准信息平台,认准啦(RenZhunLa.com)为执行该国家标准的产品或服务提供推介展位,欢迎留言交流。 标准基础信息 标准号:GB/T 6621-2009 标准中文名称:硅片表面平整度测试方法 标准英文名称:Testing methods for surface flatness of silicon slices 国家标准《硅片表面平整度测试方法》由TC203(全国半导体设备和材料标准化技术委员会)归口,主管部门为国家标准化管理委员会。主要起草单位上海合晶硅材料有限公司。主要起草人徐新华 、严世权 、王珍 。全部代替GB/T 6621-1995 收录自国家标准信息平台,认准啦(RenZhunLa.com)为执行该国家 …


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