GB/T 14863-2013 《用栅控和非栅控二极管的电压电容关系测定硅外延层中净载流子浓度的方法》-国家标准
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标准基础信息
- 标准号：GB/T 14863-2013
- 标准中文名称：用栅控和非栅控二极管的电压电容关系测定硅外延层中净载流子浓度的方法
- 标准英文名称：Method for net carrier density in silicon epitaxial layers by voltage-capacitance of gated and ungated diodes
国家标准《用栅控和非栅控二极管的电压电容关系测定硅外延层中净载流子浓度的方法》由339-1（工业和信息化部（电子））归口，主管部门为工业和信息化部（电子）。主要起草单位信息产业部专用材料质量监督检验中心、中国电子科技集团公司第四十六研究所、中国电子技术标准化研究院。主要起草人何秀坤 、董颜辉 、周智慧 、段曙光等 。全部代替GB/T 14863-1993
- 标准号
- GB/T 14863-2013
- 发布日期
- 2013-12-31
- 实施日期
- 2014-08-15
- 废止日期
- 2017-12-15
- 全部代替标准
- GB/T 14863-1993
- 标准类别
- 方法
- 中国标准分类号
- H80
- 国际标准分类号
- 29.045
29 电气工程 29.045 半导体材料 - 归口单位
- 工业和信息化部（电子）
- 执行单位
- 工业和信息化部（电子）
- 主管部门
- 工业和信息化部（电子）
标准全文
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