GB/T 29332-2012 《半导体器件 分立器件 第9部分：绝缘栅双极晶体管(IGBT)》-国家标准
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标准基础信息
- 标准号：GB/T 29332-2012
- 标准中文名称：半导体器件 分立器件 第9部分：绝缘栅双极晶体管(IGBT)
- 标准英文名称：Semiconductor devices - Discrete devices - Part 9: Insulated-gate bipolar transistors(IGBT)
国家标准《半导体器件 分立器件 第9部分：绝缘栅双极晶体管(IGBT)》由TC78（全国半导体器件标准化技术委员会）归口，主管部门为工业和信息化部（电子）。主要起草单位西安电力电子技术研究所、西安爱帕克电力电子有限公司、英飞凌科技（中国）有限公司、威海新佳电子有限公司、江苏宏微科技有限公司。主要起草人蔚红旗 、张立 、陈子颖 、乜连波 、王晓宝 、秦贤满 。本标准等同采用IEC国际标准：IEC 60747-9:2007。采标中文名称:半导体器件 分立器件 第9部分:绝缘栅双极晶体管(IGBTs)。
- 标准号
- GB/T 29332-2012
- 发布日期
- 2012-12-31
- 实施日期
- 2013-06-01
- 标准类别
- 产品
- 中国标准分类号
- L42
- 国际标准分类号
- 31.080.30;31.080.01
31 电子学 31.080 半导体分立器件 31.080.01 半导体分立器件综合 31.080.30 三极管 - 归口单位
- 全国半导体器件标准化技术委员会
- 执行单位
- 全国半导体器件标准化技术委员会
- 主管部门
- 工业和信息化部（电子）
标准全文
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