GB/T 17170-2015 《半绝缘砷化镓单晶深施主EL2浓度红外吸收测试方法》-国家标准
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标准基础信息
- 标准号：GB/T 17170-2015
- 标准中文名称：半绝缘砷化镓单晶深施主EL2浓度红外吸收测试方法
- 标准英文名称：Test method for the EL2 deep donor concentration in semi-insulating gallium arsenide single crystals by infrared absorption spectroscopy
国家标准《半绝缘砷化镓单晶深施主EL2浓度红外吸收测试方法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，主管部门为国家标准化管理委员会。主要起草单位信息产业专用材料质量监督检验中心、天津市环欧半导体材料技术有限公司、中国电子材料行业协会。主要起草人何秀坤 、李静 、张雪囡 。全部代替GB/T 17170-1997
- 标准号
- GB/T 17170-2015
- 发布日期
- 2015-12-10
- 实施日期
- 2016-07-01
- 全部代替标准
- GB/T 17170-1997
- 标准类别
- 方法
- 中国标准分类号
- H17
- 国际标准分类号
- 77.040
77 冶金 77.040 金属材料试验 - 归口单位
- 全国半导体设备和材料标准化技术委员会
- 执行单位
- 全国半导体设备和材料标准化技术委员会
- 主管部门
- 国家标准化管理委员会
标准全文
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