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  • GB/T 30856-2014 《LED外延芯片用砷化镓衬底》-国家标准

    calendar 2023-03-05 · 大约 1 分钟 · GB/T 30856-2014 LED外延芯片用砷化镓衬底 全国半导体设备和材料标准化技术委员会

    收录自国家标准信息平台,认准啦(RenZhunLa.com)为执行该国家标准的产品或服务提供推介展位,欢迎留言交流。 标准基础信息 标准号:GB/T 30856-2014 标准中文名称:LED外延芯片用砷化镓衬底 标准英文名称:GaAs substrates for LED epitaxial chips 国家标准《LED外延芯片用砷化镓衬底》由TC203(全国半导体设备和材料标准化技术委员会)归口,TC203SC2(全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会)执行,主管部门为国家标准化管理委员会。主要起草单位中国科学院半导体研究所、有研光电新材料有限公司、云南中科鑫圆晶体材料有限公司。主要起草人赵有文 、提刘旺 、林泉 、 …


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  • GB/T 30855-2014 《LED外延芯片用磷化镓衬底》-国家标准

    calendar 2023-03-05 · 大约 1 分钟 · GB/T 30855-2014 LED外延芯片用磷化镓衬底 全国半导体设备和材料标准化技术委员会

    收录自国家标准信息平台,认准啦(RenZhunLa.com)为执行该国家标准的产品或服务提供推介展位,欢迎留言交流。 标准基础信息 标准号:GB/T 30855-2014 标准中文名称:LED外延芯片用磷化镓衬底 标准英文名称:GaP substrates for LED epitaxial chips 国家标准《LED外延芯片用磷化镓衬底》由TC203(全国半导体设备和材料标准化技术委员会)归口,主管部门为国家标准化管理委员会。主要起草单位中国科学院半导体研究所、有研光电新材料有限公司、云南中科鑫圆晶体材料有限公司。主要起草人赵有文 、提刘旺 、林泉 、惠峰 、赵坚强 。 收录自国家标准信息平台,认准 …


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  • GB/T 30854-2014 《LED发光用氮化镓基外延片》-国家标准

    calendar 2023-03-05 · 大约 1 分钟 · GB/T 30854-2014 LED发光用氮化镓基外延片 全国半导体设备和材料标准化技术委员会

    收录自国家标准信息平台,认准啦(RenZhunLa.com)为执行该国家标准的产品或服务提供推介展位,欢迎留言交流。 标准基础信息 标准号:GB/T 30854-2014 标准中文名称:LED发光用氮化镓基外延片 标准英文名称:Gallium nitride based epitaxial layer for LED lighting 国家标准《LED发光用氮化镓基外延片》由TC203(全国半导体设备和材料标准化技术委员会)归口,主管部门为国家标准化管理委员会。主要起草单位中国科学院半导体研究所。主要起草人魏学成 、赵丽霞 、王军喜 、曾一平 、李晋闽 、提刘旺 。 收录自国家标准信息平台,认准啦(RenZhunLa.com)为执行 …


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  • GB/T 30858-2014 《蓝宝石单晶衬底抛光片》-国家标准

    calendar 2023-03-05 · 大约 1 分钟 · GB/T 30858-2014 蓝宝石单晶衬底抛光片 全国半导体设备和材料标准化技术委员会

    收录自国家标准信息平台,认准啦(RenZhunLa.com)为执行该国家标准的产品或服务提供推介展位,欢迎留言交流。 标准基础信息 标准号:GB/T 30858-2014 标准中文名称:蓝宝石单晶衬底抛光片 标准英文名称:Polished mono-crystalline sapphire substrate product 国家标准《蓝宝石单晶衬底抛光片》由TC203(全国半导体设备和材料标准化技术委员会)归口,主管部门为国家标准化管理委员会。主要起草单位协鑫光电科技控股有限公司、中国科学院上海光机所、浙江昀丰新能源科技有限公司、浙江上城科技有限公司、江苏吉星新材料有限公司。主要起草人魏明德 、黄朝晖 、刘逸枫 、杭寅 、 …


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  • GB/T 30868-2014 《碳化硅单晶片微管密度的测定 化学腐蚀法》-国家标准

    calendar 2023-03-05 · 大约 1 分钟 · GB/T 30868-2014 碳化硅单晶片微管密度的测定 化学腐蚀法 全国半导体设备和材料标准化技术委员会

    收录自国家标准信息平台,认准啦(RenZhunLa.com)为执行该国家标准的产品或服务提供推介展位,欢迎留言交流。 标准基础信息 标准号:GB/T 30868-2014 标准中文名称:碳化硅单晶片微管密度的测定 化学腐蚀法 标准英文名称:Test method for measuring micropipe density of monocrystalline silicon carbide wafers―Chemically etching 国家标准《碳化硅单晶片微管密度的测定 化学腐蚀法》由TC203(全国半导体设备和材料标准化技术委员会)归口,TC203SC2(全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会)执行,主管部门为国 …


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  • GB/T 30867-2014 《碳化硅单晶片厚度和总厚度变化测试方法》-国家标准

    calendar 2023-03-05 · 大约 1 分钟 · GB/T 30867-2014 碳化硅单晶片厚度和总厚度变化测试方法 全国半导体设备和材料标准化技术委员会

    收录自国家标准信息平台,认准啦(RenZhunLa.com)为执行该国家标准的产品或服务提供推介展位,欢迎留言交流。 标准基础信息 标准号:GB/T 30867-2014 标准中文名称:碳化硅单晶片厚度和总厚度变化测试方法 标准英文名称:Test method for measuring thickness and total thickness variation of monocrystalline silicon carbide wafers 国家标准《碳化硅单晶片厚度和总厚度变化测试方法》由TC203(全国半导体设备和材料标准化技术委员会)归口,TC203SC2(全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会)执行,主管部门为 …


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  • GB/T 30861-2014 《太阳能电池用锗衬底片》-国家标准

    calendar 2023-03-05 · 大约 1 分钟 · GB/T 30861-2014 太阳能电池用锗衬底片 全国半导体设备和材料标准化技术委员会

    收录自国家标准信息平台,认准啦(RenZhunLa.com)为执行该国家标准的产品或服务提供推介展位,欢迎留言交流。 标准基础信息 标准号:GB/T 30861-2014 标准中文名称:太阳能电池用锗衬底片 标准英文名称:Germanium substrate for solar cell 国家标准《太阳能电池用锗衬底片》由TC203(全国半导体设备和材料标准化技术委员会)归口,主管部门为国家标准化管理委员会。主要起草单位中锗科技有限公司、云南临沧鑫圆锗业股份有限公司、厦门乾照光电有限公司、天津三安光电有限公司。主要起草人孙小华 、刘绍良 、张莉萍 、普世坤 、王向武 、林桂江 。 收录自国家标准信息平台,认准 …


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  • GB/T 30860-2014 《太阳能电池用硅片表面粗糙度及切割线痕测试方法》-国家标准

    calendar 2023-03-05 · 大约 1 分钟 · GB/T 30860-2014 太阳能电池用硅片表面粗糙度及切割线痕测试方法 全国半导体设备和材料标准化技术委员会

    收录自国家标准信息平台,认准啦(RenZhunLa.com)为执行该国家标准的产品或服务提供推介展位,欢迎留言交流。 标准基础信息 标准号:GB/T 30860-2014 标准中文名称:太阳能电池用硅片表面粗糙度及切割线痕测试方法 标准英文名称:Test methods for surface roughness and saw mark of silicon wafers for solar cells 国家标准《太阳能电池用硅片表面粗糙度及切割线痕测试方法》由TC203(全国半导体设备和材料标准化技术委员会)归口,主管部门为国家标准化管理委员会。主要起草单位中国有色金属工业标准计量质量研究所、瑟米莱伯贸易(上海)有限公司、江苏协 …


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  • GB/T 30859-2014 《太阳能电池用硅片翘曲度和波纹度测试方法》-国家标准

    calendar 2023-03-05 · 大约 1 分钟 · GB/T 30859-2014 太阳能电池用硅片翘曲度和波纹度测试方法 全国半导体设备和材料标准化技术委员会

    收录自国家标准信息平台,认准啦(RenZhunLa.com)为执行该国家标准的产品或服务提供推介展位,欢迎留言交流。 标准基础信息 标准号:GB/T 30859-2014 标准中文名称:太阳能电池用硅片翘曲度和波纹度测试方法 标准英文名称:Test method for warp and waviness of silicon wafers for solar cells 国家标准《太阳能电池用硅片翘曲度和波纹度测试方法》由TC203(全国半导体设备和材料标准化技术委员会)归口,主管部门为国家标准化管理委员会。主要起草单位江苏协鑫硅材料科技发展有限公司、瑟米莱伯贸易(上海)有限公司、有研半导体材料股份有限公司。主要起草人薛抗美 、夏 …


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  • GB/T 30866-2014 《碳化硅单晶片直径测试方法》-国家标准

    calendar 2023-03-05 · 大约 1 分钟 · GB/T 30866-2014 碳化硅单晶片直径测试方法 全国半导体设备和材料标准化技术委员会

    收录自国家标准信息平台,认准啦(RenZhunLa.com)为执行该国家标准的产品或服务提供推介展位,欢迎留言交流。 标准基础信息 标准号:GB/T 30866-2014 标准中文名称:碳化硅单晶片直径测试方法 标准英文名称:Test method for measuring diameter of monocrystalline silicon carbide wafers 国家标准《碳化硅单晶片直径测试方法》由TC203(全国半导体设备和材料标准化技术委员会)归口,TC203SC2(全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会)执行,主管部门为国家标准化管理委员会。主要起草单位中国电子科技集团公司第四十六研究所、中国电子技术标准 …


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