GB/T 14142-2017 《硅外延层晶体完整性检验方法 腐蚀法》-国家标准
目录
标准基础信息
- 标准号：GB/T 14142-2017
- 标准中文名称：硅外延层晶体完整性检验方法 腐蚀法
- 标准英文名称：Test method for crystallographic perfection of epitaxial layers in silicon—Etching technique
国家标准《硅外延层晶体完整性检验方法 腐蚀法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，TC203SC2（全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会）执行，主管部门为国家标准化管理委员会。主要起草单位南京国盛电子有研公司、有研半导体材料有限公司、浙江金瑞泓科技股份有限公司。主要起草人马林宝 、骆红 、杨帆 、刘小青 、陈赫 、张海英 。全部代替GB/T 14142-1993
- 标准号
- GB/T 14142-2017
- 发布日期
- 2017-09-29
- 实施日期
- 2018-04-01
- 全部代替标准
- GB/T 14142-1993
- 标准类别
- 方法
- 中国标准分类号
- H25
- 国际标准分类号
- 77.040
77 冶金 77.040 金属材料试验 - 归口单位
- 全国半导体设备和材料标准化技术委员会
- 执行单位
- 全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会
- 主管部门
- 国家标准化管理委员会
标准全文
- 点击查看标准全文。