GB/T 34481-2017 《低位错密度锗单晶片腐蚀坑密度(EPD)的测量方法》-国家标准
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标准基础信息
- 标准号：GB/T 34481-2017
- 标准中文名称：低位错密度锗单晶片腐蚀坑密度(EPD)的测量方法
- 标准英文名称：Test method for measuring etch pit density (EPD) in low dislocation density monocrystalline germanium slices
国家标准《低位错密度锗单晶片腐蚀坑密度(EPD)的测量方法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，主管部门为国家标准化管理委员会。主要起草单位云南中科鑫圆晶体材料有限公司、云南临沧鑫圆锗业股份有限公司、中科院半导体研究所。主要起草人惠峰 、普世坤 、董汝昆 。
- 标准号
- GB/T 34481-2017
- 发布日期
- 2017-10-14
- 实施日期
- 2018-07-01
- 标准类别
- 方法
- 中国标准分类号
- H25
- 国际标准分类号
- 77.040
77 冶金 77.040 金属材料试验 - 归口单位
- 全国半导体设备和材料标准化技术委员会
- 执行单位
- 全国半导体设备和材料标准化技术委员会
- 主管部门
- 国家标准化管理委员会
标准全文
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