GB/T 34900-2017 《微机电系统（MEMS）技术 基于光学干涉的MEMS微结构残余应变测量方法》-国家标准
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标准基础信息
- 标准号：GB/T 34900-2017
- 标准中文名称：微机电系统（MEMS）技术 基于光学干涉的MEMS微结构残余应变测量方法
- 标准英文名称：Micro-electromechanical system technology—Measuring method for residual strain measurements of MEMS microstructures using an optical interferometer
国家标准《微机电系统（MEMS）技术 基于光学干涉的MEMS微结构残余应变测量方法》由TC336（全国微机电技术标准化技术委员会）归口，主管部门为国家标准化管理委员会。主要起草单位天津大学、中机生产力促进中心、国家仪器仪表元器件质量监督检验中心、南京理工大学、中国电子科技集团公司第十三研究所。主要起草人郭彤 、胡晓东 、李海斌 、于振毅 、裘安萍 、程红兵 、崔波 、朱悦 。
- 标准号
- GB/T 34900-2017
- 发布日期
- 2017-11-01
- 实施日期
- 2018-05-01
- 标准类别
- 方法
- 中国标准分类号
- L55
- 国际标准分类号
- 31.200
31 电子学 31.200 集成电路、微电子学 - 归口单位
- 全国微机电技术标准化技术委员会
- 执行单位
- 全国微机电技术标准化技术委员会
- 主管部门
- 国家标准化管理委员会
标准全文
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