GB/T 36646-2018 《制备氮化物半导体材料用氢化物气相外延设备》-国家标准
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标准基础信息
- 标准号：GB/T 36646-2018
- 标准中文名称：制备氮化物半导体材料用氢化物气相外延设备
- 标准英文名称：Equipment for preparation of nitride semiconductor materials by hydride vapor phase epitaxy
国家标准《制备氮化物半导体材料用氢化物气相外延设备》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，主管部门为国家标准化管理委员会。主要起草单位东莞市中镓半导体科技有限公司、中国电子技术标准化研究院。主要起草人刘鹏 、孙永健 、丁晓民 、冯亚彬 、王健辉 。
- 标准号
- GB/T 36646-2018
- 发布日期
- 2018-09-17
- 实施日期
- 2019-01-01
- 标准类别
- 产品
- 中国标准分类号
- L95
- 国际标准分类号
- 31.220
31 电子学 31.220 电子电信设备用机电元件 - 归口单位
- 全国半导体设备和材料标准化技术委员会
- 执行单位
- 全国半导体设备和材料标准化技术委员会
- 主管部门
- 国家标准化管理委员会
标准全文
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