GB/T 1551-1995 《硅、锗单晶电阻率测定 直流两探针法》-国家标准
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标准基础信息
- 标准号：GB/T 1551-1995
- 标准中文名称：硅、锗单晶电阻率测定 直流两探针法
- 标准英文名称：Test method for resistivity of silicon and germanium bars using a two-point probe
国家标准《硅、锗单晶电阻率测定 直流两探针法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，主管部门为国家标准化管理委员会。主要起草单位上海有色金属工业总公司。全部代替GB 1551-1979全部代替GB 5253-1985被GB/T 1551-2009GB/T 1551-2009全部代替本标准非等效采用ITU国际标准：ASTM F397:1988。采标中文名称:。
- 标准号
- GB/T 1551-1995
- 发布日期
- 1995-04-18
- 实施日期
- 1995-12-01
- 废止日期
- 2010-06-01
- 标准类别
- 方法
- 中国标准分类号
- H21
- 归口单位
- 全国半导体设备和材料标准化技术委员会
- 执行单位
- 全国半导体设备和材料标准化技术委员会
- 主管部门
- 国家标准化管理委员会
标准全文
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