GB/T 6616-1995 《半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测定 非接触涡流法》-国家标准
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标准基础信息
- 标准号：GB/T 6616-1995
- 标准中文名称：半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测定 非接触涡流法
- 标准英文名称：Test method for measuring resistivity of semiconductor silicon or sheet resistance of semiconductorfilms with a noncontact eddy-current gage
国家标准《半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测定 非接触涡流法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，主管部门为国家标准化管理委员会。主要起草单位上海有色金属研究所。全部代替GB 6616-1986被GB/T 6616-2009GB/T 6616-2009全部代替本标准等效采用ITU国际标准：ASTM F673:1990。采标中文名称:。
- 标准号
- GB/T 6616-1995
- 发布日期
- 1995-04-18
- 实施日期
- 1995-12-01
- 废止日期
- 2010-06-01
- 标准类别
- 方法
- 中国标准分类号
- H21
- 归口单位
- 全国半导体设备和材料标准化技术委员会
- 执行单位
- 全国半导体设备和材料标准化技术委员会
- 主管部门
- 国家标准化管理委员会
标准全文
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