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  • GB/T 6621-1995 《硅抛光片表面平整度测试方法》-国家标准

    calendar 2023-03-07 · 大约 1 分钟 · GB/T 6621-1995 硅抛光片表面平整度测试方法 全国半导体设备和材料标准化技术委员会

    收录自国家标准信息平台,认准啦(RenZhunLa.com)为执行该国家标准的产品或服务提供推介展位,欢迎留言交流。 标准基础信息 标准号:GB/T 6621-1995 标准中文名称:硅抛光片表面平整度测试方法 标准英文名称:Test methods for surface flatness of silicon polished slices 国家标准《硅抛光片表面平整度测试方法》由TC203(全国半导体设备和材料标准化技术委员会)归口,主管部门为国家标准化管理委员会。主要起草单位上海第二冶炼厂。全部代替GB 6621-1986被GB/T 6621-2009GB/T 6621-2009全部代替本标准等效采用ITU国际标准:ASTM …


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  • GB/T 6618-1995 《硅片厚度和总厚度变化测试方法》-国家标准

    calendar 2023-03-07 · 大约 1 分钟 · GB/T 6618-1995 硅片厚度和总厚度变化测试方法 全国半导体设备和材料标准化技术委员会

    收录自国家标准信息平台,认准啦(RenZhunLa.com)为执行该国家标准的产品或服务提供推介展位,欢迎留言交流。 标准基础信息 标准号:GB/T 6618-1995 标准中文名称:硅片厚度和总厚度变化测试方法 标准英文名称:Test method for thickness and total thickness variation of silicon slices 国家标准《硅片厚度和总厚度变化测试方法》由TC203(全国半导体设备和材料标准化技术委员会)归口,主管部门为国家标准化管理委员会。主要起草单位北京有色金属研究总院。全部代替GB 6618-1986被GB/T 6618-2009GB/T 6618-2009全部代替本 …


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  • GB/T 1551-1995 《硅、锗单晶电阻率测定 直流两探针法》-国家标准

    calendar 2023-03-07 · 大约 1 分钟 · GB/T 1551-1995 硅、锗单晶电阻率测定 直流两探针法 全国半导体设备和材料标准化技术委员会

    收录自国家标准信息平台,认准啦(RenZhunLa.com)为执行该国家标准的产品或服务提供推介展位,欢迎留言交流。 标准基础信息 标准号:GB/T 1551-1995 标准中文名称:硅、锗单晶电阻率测定 直流两探针法 标准英文名称:Test method for resistivity of silicon and germanium bars using a two-point probe 国家标准《硅、锗单晶电阻率测定 直流两探针法》由TC203(全国半导体设备和材料标准化技术委员会)归口,主管部门为国家标准化管理委员会。主要起草单位上海有色金属工业总公司。全部代替GB 1551-1979全部代替GB 5253-1985 …


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  • GB/T 1554-1995 《硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法》-国家标准

    calendar 2023-03-07 · 大约 1 分钟 · GB/T 1554-1995 硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法 全国半导体设备和材料标准化技术委员会

    收录自国家标准信息平台,认准啦(RenZhunLa.com)为执行该国家标准的产品或服务提供推介展位,欢迎留言交流。 标准基础信息 标准号:GB/T 1554-1995 标准中文名称:硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法 标准英文名称:Test method for crystallographic perfection of silicon by preferential etch techniques 国家标准《硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法》由TC203(全国半导体设备和材料标准化技术委员会)归口,主管部门为国家标准化管理委员会。主要起草单位峨嵋半导体材料厂。全部代替GB 4057-1983全部代替GB 1554-1979 …


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  • GB/T 1552-1995 《硅、锗单晶电阻率测定 直排四探针法》-国家标准

    calendar 2023-03-07 · 大约 1 分钟 · GB/T 1552-1995 硅、锗单晶电阻率测定 直排四探针法 全国半导体设备和材料标准化技术委员会

    收录自国家标准信息平台,认准啦(RenZhunLa.com)为执行该国家标准的产品或服务提供推介展位,欢迎留言交流。 标准基础信息 标准号:GB/T 1552-1995 标准中文名称:硅、锗单晶电阻率测定 直排四探针法 标准英文名称:Test method for measuring resistivity of monocrystal silicon and germanium with a collinear four-probe array 国家标准《硅、锗单晶电阻率测定 直排四探针法》由TC203(全国半导体设备和材料标准化技术委员会)归口,主管部门为国家标准化管理委员会。主要起草单位上海有色金属研究所。全部代替GB …


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  • GB/T 6620-1995 《硅片翘曲度非接触式测试方法》-国家标准

    calendar 2023-03-07 · 大约 1 分钟 · GB/T 6620-1995 硅片翘曲度非接触式测试方法 全国半导体设备和材料标准化技术委员会

    收录自国家标准信息平台,认准啦(RenZhunLa.com)为执行该国家标准的产品或服务提供推介展位,欢迎留言交流。 标准基础信息 标准号:GB/T 6620-1995 标准中文名称:硅片翘曲度非接触式测试方法 标准英文名称:Test method for measuring warp on silicon slices by noncontact scanning 国家标准《硅片翘曲度非接触式测试方法》由TC203(全国半导体设备和材料标准化技术委员会)归口,主管部门为国家标准化管理委员会。主要起草单位洛阳单晶硅厂。全部代替GB 6620-1986被GB/T 6620-2009GB/T 6620-2009全部代替本标准等效采 …


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  • GB/T 6619-1995 《硅片弯曲度测试方法》-国家标准

    calendar 2023-03-07 · 大约 1 分钟 · GB/T 6619-1995 硅片弯曲度测试方法 全国半导体设备和材料标准化技术委员会

    收录自国家标准信息平台,认准啦(RenZhunLa.com)为执行该国家标准的产品或服务提供推介展位,欢迎留言交流。 标准基础信息 标准号:GB/T 6619-1995 标准中文名称:硅片弯曲度测试方法 标准英文名称:Test methods for bow of silicon slices 国家标准《硅片弯曲度测试方法》由TC203(全国半导体设备和材料标准化技术委员会)归口,主管部门为国家标准化管理委员会。主要起草单位洛阳单晶硅厂。全部代替GB 6619-1986被GB/T 6619-2009GB/T 6619-2009全部代替本标准等效采用ITU国际标准:ASTM 534:1991。采标中文名称:。 收录自国家标准信息平台, …


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  • GB/T 4058-1995 《硅抛光片氧化诱生缺陷的检验方法》-国家标准

    calendar 2023-03-07 · 大约 1 分钟 · GB/T 4058-1995 硅抛光片氧化诱生缺陷的检验方法 全国半导体设备和材料标准化技术委员会

    收录自国家标准信息平台,认准啦(RenZhunLa.com)为执行该国家标准的产品或服务提供推介展位,欢迎留言交流。 标准基础信息 标准号:GB/T 4058-1995 标准中文名称:硅抛光片氧化诱生缺陷的检验方法 标准英文名称:Test method for detection of oxidation induced defects in polished silicon wafers 国家标准《硅抛光片氧化诱生缺陷的检验方法》由TC203(全国半导体设备和材料标准化技术委员会)归口,主管部门为国家标准化管理委员会。主要起草单位峨嵋半导体材料厂。全部代替GB 4058-1983全部代替GB 6622-1986全部代替GB …


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  • GB/T 5238-1995 《锗单晶》-国家标准

    calendar 2023-03-07 · 大约 1 分钟 · GB/T 5238-1995 锗单晶 全国半导体设备和材料标准化技术委员会

    收录自国家标准信息平台,认准啦(RenZhunLa.com)为执行该国家标准的产品或服务提供推介展位,欢迎留言交流。 标准基础信息 标准号:GB/T 5238-1995 标准中文名称:锗单晶 标准英文名称:Monocrystalline germanium 国家标准《锗单晶》由TC203(全国半导体设备和材料标准化技术委员会)归口,主管部门为国家标准化管理委员会。主要起草单位南京锗厂。全部代替GB 5238-1985被GB/T 5238-2009GB/T 5238-2009全部代替 收录自国家标准信息平台,认准啦(RenZhunLa.com)为执行该国家标准的产品或服务提供推介展位,欢迎留言交流。 标准号 GB/T …


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  • GB/T 1553-1997 《硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰减法》-国家标准

    calendar 2023-03-07 · 大约 1 分钟 · GB/T 1553-1997 硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰减法 全国半导体设备和材料标准化技术委员会

    收录自国家标准信息平台,认准啦(RenZhunLa.com)为执行该国家标准的产品或服务提供推介展位,欢迎留言交流。 标准基础信息 标准号:GB/T 1553-1997 标准中文名称:硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰减法 标准英文名称:Standard test methods for minority carrier lifetime in bulk germanium and silicon by measurement of photoconductivity decay 国家标准《硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰减法》由TC203(全国半导体设备和材料标准化技术委员会)归口,主管部门为国家标准化管理委员会。主要起草单 …


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