GB/T 1551-2021 《硅单晶电阻率的测定 直排四探针法和直流两探针法》-国家标准
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标准基础信息
- 标准号：GB/T 1551-2021
- 标准中文名称：硅单晶电阻率的测定 直排四探针法和直流两探针法
- 标准英文名称：Test method for measuring resistivity of monocrystal silicon—In-line four-point probe and direct current two-point probe method
国家标准《硅单晶电阻率的测定 直排四探针法和直流两探针法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，TC203SC2（全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会）执行，主管部门为国家标准化管理委员会。主要起草单位中国电子科技集团公司第四十六研究所、有色金属技术经济研究院有限责任公司、有研半导体材料有限公司、广州市昆德科技有限公司、青海芯测科技有限公司、浙江海纳半导体有限公司、乐山市产品质量监督检验所、中国计量科学研究院、亚洲硅业（青海）股份有限公司、浙江金瑞泓科技股份有限公司、开化县检验检测研究院、南京国盛电子有限公司、青海黄河上游水电开发有限责任公司新能源分公司、义乌力迈新材料有限公司。主要起草人刘立娜 、刘兆枫 、何烜坤 、刘刚 、杨素心 、孙燕 、高英 、王昕 、梁洪 、潘金平 、楼春兰 、宗冰 、李慎重 、潘文宾 、蔡丽艳 、王志强 、皮坤林 。全部代替GB/T 1551-2009
- 标准号
- GB/T 1551-2021
- 发布日期
- 2021-05-21
- 实施日期
- 2021-12-01
- 全部代替标准
- GB/T 1551-2009
- 标准类别
- 方法
- 中国标准分类号
- H21
- 国际标准分类号
- 77.040
77 冶金 77.040 金属材料试验 - 归口单位
- 全国半导体设备和材料标准化技术委员会
- 执行单位
- 全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会
- 主管部门
- 国家标准化管理委员会
标准全文
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