GB/T 8760-2020 《砷化镓单晶位错密度的测试方法》-国家标准
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标准基础信息
- 标准号：GB/T 8760-2020
- 标准中文名称：砷化镓单晶位错密度的测试方法
- 标准英文名称：Test method for dislocation density of monocrystal gallium arsenide
国家标准《砷化镓单晶位错密度的测试方法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，TC203SC2（全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会）执行，主管部门为国家标准化管理委员会。主要起草单位有研光电新材料有限责任公司、云南临沧鑫圆锗业股份有限公司、国合通用测试评价认证股份公司、中国电子科技集团第四十六研究所、广东先导稀材股份有限公司、雅波拓（福建）新材料有限公司。主要起草人赵敬平 、林泉 、于洪国 、惠峰 、刘淑凤 、姚康 、许所成 、许兴 、马英俊 、王彤涵 、赵素晓 、韦圣林 、陈晶晶 、付萍 。全部代替GB/T 8760-2006
- 标准号
- GB/T 8760-2020
- 发布日期
- 2020-09-29
- 实施日期
- 2021-08-01
- 全部代替标准
- GB/T 8760-2006
- 标准类别
- 方法
- 中国标准分类号
- H21
- 国际标准分类号
- 77.040
77 冶金 77.040 金属材料试验 - 归口单位
- 全国半导体设备和材料标准化技术委员会
- 执行单位
- 全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会
- 主管部门
- 国家标准化管理委员会
标准全文
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