GB/T 41751-2022 《氮化镓单晶衬底片晶面曲率半径测试方法》-国家标准
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标准基础信息
- 标准号：GB/T 41751-2022
- 标准中文名称：氮化镓单晶衬底片晶面曲率半径测试方法
- 标准英文名称：Test method for radius of curvature of crystal plane in GaN single crystal substrate wafers
国家标准《氮化镓单晶衬底片晶面曲率半径测试方法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，TC203SC2（全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会）执行，主管部门为国家标准化管理委员会。主要起草单位中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所、苏州纳维科技有限公司、中国电子科技集团公司第四十六研究所、哈尔滨奥瑞德光电技术有限公司、厦门柯誉尔科技有限公司、山西华晶恒基新材料有限公司、福建兆元光电有限公司。主要起草人邱永鑫 、徐科 、王建峰 、任国强 、李腾坤 、左洪波 、郑树楠 、刘立娜 、杨鑫宏 、邝光宁 、丁崇灯 、陈友勇 。
- 标准号
- GB/T 41751-2022
- 发布日期
- 2022-10-12
- 实施日期
- 2023-02-01
- 标准类别
- 方法
- 中国标准分类号
- H21
- 国际标准分类号
- 77.040
77 冶金 77.040 金属材料试验 - 归口单位
- 全国半导体设备和材料标准化技术委员会
- 执行单位
- 全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会
- 主管部门
- 国家标准化管理委员会
标准全文
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