GB/T 41765-2022 《碳化硅单晶位错密度的测试方法》-国家标准
目录
标准基础信息
- 标准号：GB/T 41765-2022
- 标准中文名称：碳化硅单晶位错密度的测试方法
- 标准英文名称：Test method for dislocation density of monocrystalline silicon carbide
国家标准《碳化硅单晶位错密度的测试方法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，TC203SC2（全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会）执行，主管部门为国家标准化管理委员会。主要起草单位北京天科合达半导体股份有限公司、有色金属技术经济研究院有限责任公司。主要起草人彭同华 、佘宗静 、娄艳芳 、王大军 、赵宁 、王波 、郭钰 、杨建 、李素青 。
- 标准号
- GB/T 41765-2022
- 发布日期
- 2022-10-12
- 实施日期
- 2023-05-01
- 标准类别
- 方法
- 中国标准分类号
- H21
- 国际标准分类号
- 77.040
77 冶金 77.040 金属材料试验 - 归口单位
- 全国半导体设备和材料标准化技术委员会
- 执行单位
- 全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会
- 主管部门
- 国家标准化管理委员会
标准全文
- 点击查看标准全文。