GB/T 43493.3-2023 《半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第3部分：缺陷的光致发光检测方法》-国家标准
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标准基础信息
- 标准号：GB/T 43493.3-2023
- 标准中文名称：半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第3部分：缺陷的光致发光检测方法
- 标准英文名称：Semiconductor device—Non-destructive recognition criteria of defects in silicon carbide homoepitaxial wafer for power devices—Part 3: Test method for defects using photoluminescence
国家标准《半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第3部分：缺陷的光致发光检测方法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，TC203SC2（全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会）执行，主管部门为国家标准化管理委员会。主要起草单位河北半导体研究所（中国电子科技集团公司第十三研究所）、之江实验室、广东天域半导体股份有限公司、中国电子科技集团公司第四十六研究所、浙江大学、山东天岳先进科技股份有限公司、山西烁科晶体有限公司、中国科学院半导体研究所、中电化合物半导体有限公司、河北普兴电子科技股份有限公司、常州臻晶半导体有限公司、深圳市星汉激光科技股份有限公司、厦门特仪科技有限公司。主要起草人芦伟立 、房玉龙 、李佳 、殷源 、丁雄杰 、张冉冉 、王健 、李丽霞 、张建锋 、李振廷 、徐晨 、杨青 、刘立娜 、杨世兴 、马康夫 、钮应喜 、金向军 、尹志鹏 、刘薇 、陆敏 、周少丰 、林志阳 。GB/T 43493.3-2023即将实施本标准等同采用IEC国际标准：IEC 63068-3:2020。采标中文名称:半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第3部分：缺陷的光致发光检测方法。
- 标准号
- GB/T 43493.3-2023
- 发布日期
- 2023-12-28
- 实施日期
- 2024-07-01
- 标准类别
- 方法
- 中国标准分类号
- L90
- 国际标准分类号
- 31.080.99
31 电子学 31.080 半导体分立器件 31.080.99 其他半导体分立器件 - 归口单位
- 全国半导体设备和材料标准化技术委员会
- 执行单位
- 全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会
- 主管部门
- 国家标准化管理委员会
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