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  • GB/T 42789-2023 《硅片表面光泽度的测试方法》-国家标准

    calendar 2023-09-22 · 大约 1 分钟 · GB_T 42789-2023 硅片表面光泽度的测试方法 全国半导体设备和材料标准化技术委员会

    收录自国家标准信息平台,认准啦(RenZhunLa.com)为执行该国家标准的产品或服务提供推介展位,欢迎留言交流。 标准基础信息 标准号:GB/T 42789-2023 标准中文名称:硅片表面光泽度的测试方法 标准英文名称:Test method for gloss of silicon wafer 国家标准《硅片表面光泽度的测试方法》由TC203(全国半导体设备和材料标准化技术委员会)归口,TC203SC2(全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会)执行,主管部门为国家标准化管理委员会。主要起草单位浙江金瑞泓科技股份有限公司、浙江海纳半导体股份有限公司、有色金属技术经济研究院有限责任公司、天津中环领先材料技术有限公司、山东有 …


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  • GB/T 6616-2023 《半导体晶片电阻率及半导体薄膜薄层电阻的测试 非接触涡流法》-国家标准

    calendar 2023-09-22 · 大约 1 分钟 · GB_T 6616-2023 半导体晶片电阻率及半导体薄膜薄层电阻的测试 非接触涡流法 全国半导体设备和材料标准化技术委员会

    收录自国家标准信息平台,认准啦(RenZhunLa.com)为执行该国家标准的产品或服务提供推介展位,欢迎留言交流。 标准基础信息 标准号:GB/T 6616-2023 标准中文名称:半导体晶片电阻率及半导体薄膜薄层电阻的测试 非接触涡流法 标准英文名称:Test method for resistivity of semiconductor wafers and sheet resistance of semiconductor films—Noncontact eddy-current gauge 国家标准《半导体晶片电阻率及半导体薄膜薄层电阻的测试 非接触涡流法》由TC203(全国半导体设备和材料标准化技术委员会)归 …


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  • GB/T 24582-2023 《多晶硅表面金属杂质含量测定 酸浸取-电感耦合等离子体质谱法》-国家标准

    calendar 2023-09-22 · 大约 1 分钟 · GB_T 24582-2023 多晶硅表面金属杂质含量测定 酸浸取-电感耦合等离子体质谱法 全国半导体设备和材料标准化技术委员会

    收录自国家标准信息平台,认准啦(RenZhunLa.com)为执行该国家标准的产品或服务提供推介展位,欢迎留言交流。 标准基础信息 标准号:GB/T 24582-2023 标准中文名称:多晶硅表面金属杂质含量测定 酸浸取-电感耦合等离子体质谱法 标准英文名称:Test method for measuring surface metal impurity content of polycrystalline silicon—Acid extraction-inductively coupled plasma mass spectrometry method 国家标准《多晶硅表面金属杂质含量测定 酸浸取-电感耦合等离子体质谱法》 …


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  • GB/T 42907-2023 《硅锭、硅块和硅片中非平衡载流子复合寿命的测试 非接触涡流感应法》-国家标准

    calendar 2023-09-22 · 大约 1 分钟 · GB_T 42907-2023 硅锭、硅块和硅片中非平衡载流子复合寿命的测试 非接触涡流感应法 全国半导体设备和材料标准化技术委员会

    收录自国家标准信息平台,认准啦(RenZhunLa.com)为执行该国家标准的产品或服务提供推介展位,欢迎留言交流。 标准基础信息 标准号:GB/T 42907-2023 标准中文名称:硅锭、硅块和硅片中非平衡载流子复合寿命的测试 非接触涡流感应法 标准英文名称:Test method for excess-charge-carrier recombination lifetime in silicon ingots, silicon bricks and silicon wafers—Noncontact eddy-current sensor 国家标准《硅锭、硅块和硅片中非平衡载流子复合寿命的测试 非接触涡流感应法》 …


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  • GB/T 42905-2023 《碳化硅外延层厚度的测试 红外反射法》-国家标准

    calendar 2023-09-22 · 大约 1 分钟 · GB_T 42905-2023 碳化硅外延层厚度的测试 红外反射法 全国半导体设备和材料标准化技术委员会

    收录自国家标准信息平台,认准啦(RenZhunLa.com)为执行该国家标准的产品或服务提供推介展位,欢迎留言交流。 标准基础信息 标准号:GB/T 42905-2023 标准中文名称:碳化硅外延层厚度的测试 红外反射法 标准英文名称:Test method for thickness of silicon carbide epitaxial layer—Infrared reflectance method 国家标准《碳化硅外延层厚度的测试 红外反射法》由TC203(全国半导体设备和材料标准化技术委员会)归口,TC203SC2(全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会)执行,主管部门为国家标准化管理委员会。主要起草单位安徽长飞 …


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  • GB/T 42902-2023 《碳化硅外延片表面缺陷的测试 激光散射法》-国家标准

    calendar 2023-09-22 · 大约 1 分钟 · GB_T 42902-2023 碳化硅外延片表面缺陷的测试 激光散射法 全国半导体设备和材料标准化技术委员会

    收录自国家标准信息平台,认准啦(RenZhunLa.com)为执行该国家标准的产品或服务提供推介展位,欢迎留言交流。 标准基础信息 标准号:GB/T 42902-2023 标准中文名称:碳化硅外延片表面缺陷的测试 激光散射法 标准英文名称:Test method for surface defects on silicon carbide epitaxial wafers—Laser scattering method 国家标准《碳化硅外延片表面缺陷的测试 激光散射法》由TC203(全国半导体设备和材料标准化技术委员会)归口,TC203SC2(全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会)执行,主管部门为国家标准化管理委员会。主要起 …


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  • GB/T 1553-2023 《硅和锗体内少数载流子寿命的测定 光电导衰减法》-国家标准

    calendar 2023-09-22 · 大约 1 分钟 · GB_T 1553-2023 硅和锗体内少数载流子寿命的测定 光电导衰减法 全国半导体设备和材料标准化技术委员会

    收录自国家标准信息平台,认准啦(RenZhunLa.com)为执行该国家标准的产品或服务提供推介展位,欢迎留言交流。 标准基础信息 标准号:GB/T 1553-2023 标准中文名称:硅和锗体内少数载流子寿命的测定 光电导衰减法 标准英文名称:Test methods for minority carrier lifetime in bulk silicon and germanium—Photoconductivity decay method 国家标准《硅和锗体内少数载流子寿命的测定 光电导衰减法》由TC203(全国半导体设备和材料标准化技术委员会)归口,TC203SC2(全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会)执行,主管 …


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  • GB/T 30652-2023 《硅外延用三氯氢硅》-国家标准

    calendar 2023-09-22 · 大约 1 分钟 · GB_T 30652-2023 硅外延用三氯氢硅 全国半导体设备和材料标准化技术委员会

    收录自国家标准信息平台,认准啦(RenZhunLa.com)为执行该国家标准的产品或服务提供推介展位,欢迎留言交流。 标准基础信息 标准号:GB/T 30652-2023 标准中文名称:硅外延用三氯氢硅 标准英文名称:Trichlorosilane for silicon epitaxial 国家标准《硅外延用三氯氢硅》由TC203(全国半导体设备和材料标准化技术委员会)归口,TC203SC2(全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会)执行,主管部门为国家标准化管理委员会。主要起草单位洛阳中硅高科技有限公司、有色金属技术经济研究院有限责任公司、上海亿钶气体有限公司、南京国盛电子有限公司、唐山三孚电子材料有限公司、上海新昇半导体科 …


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  • GB/T 35306-2023 《硅单晶中碳、氧含量的测定 低温傅立叶变换红外光谱法》-国家标准

    calendar 2023-09-22 · 大约 1 分钟 · GB_T 35306-2023 硅单晶中碳、氧含量的测定 低温傅立叶变换红外光谱法 全国半导体设备和材料标准化技术委员会

    收录自国家标准信息平台,认准啦(RenZhunLa.com)为执行该国家标准的产品或服务提供推介展位,欢迎留言交流。 标准基础信息 标准号:GB/T 35306-2023 标准中文名称:硅单晶中碳、氧含量的测定 低温傅立叶变换红外光谱法 标准英文名称:Determination of carbon and oxygen content in single crystal silicon—Low temperature fourier transform infrared spectrometry method 国家标准《硅单晶中碳、氧含量的测定 低温傅立叶变换红外光谱法》由TC203(全国半导体设备和材料标准化技术委员会)归 …


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  • GB/T 29057-2023 《用区熔拉晶法和光谱分析法评价多晶硅棒的规程》-国家标准

    calendar 2023-09-22 · 大约 1 分钟 · GB_T 29057-2023 用区熔拉晶法和光谱分析法评价多晶硅棒的规程 全国半导体设备和材料标准化技术委员会

    收录自国家标准信息平台,认准啦(RenZhunLa.com)为执行该国家标准的产品或服务提供推介展位,欢迎留言交流。 标准基础信息 标准号:GB/T 29057-2023 标准中文名称:用区熔拉晶法和光谱分析法评价多晶硅棒的规程 标准英文名称:Practice for evaluation of polocrystalline silicon rods by float-zone crystal growth and spectroscopy 国家标准《用区熔拉晶法和光谱分析法评价多晶硅棒的规程》由TC203(全国半导体设备和材料标准化技术委员会)归口,TC203SC2(全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会)执行,主管部门为 …


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