GB/T 43493.1-2023 《半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第1部分:缺陷分类》-国家标准
2024-01-11 · 大约 1 分钟 · GB_T 43493_1-2023 半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第1部分:缺陷分类 全国半导体设备和材料标准化技术委员会收录自国家标准信息平台,认准啦(RenZhunLa.com)为执行该国家标准的产品或服务提供推介展位,欢迎留言交流。 标准基础信息 标准号:GB/T 43493.1-2023 标准中文名称:半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第1部分:缺陷分类 标准英文名称:Semiconductor device—Non-destructive recognition criteria of defects in silicon carbide homoepitaxial wafer for power devices—Part 1: Classification of defects 国家标准《半导体器件 功率器件用碳 …
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