GB/T 19444-2025 《硅片氧沉淀特性的测试 间隙氧含量减少法》-国家标准
目录
标准基础信息
- 标准号：GB/T 19444-2025
- 标准中文名称：硅片氧沉淀特性的测试 间隙氧含量减少法
- 标准英文名称：Test method for oxygen precipition characteristics of silicon wafers—Interstitial oxygen reduction
国家标准《硅片氧沉淀特性的测试 间隙氧含量减少法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，TC203SC2（全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会）执行，主管部门为国家标准委。主要起草单位麦斯克电子材料股份有限公司、浙江中晶科技股份有限公司、隆基绿能科技股份有限公司、内蒙古中环晶体材料有限公司、浙江海纳半导体股份有限公司、山东有研艾斯半导体材料有限公司、浙江金瑞泓科技股份有限公司、杭州中欣晶圆半导体股份有限公司、上海合晶硅材料股份有限公司、浙大宁波理工学院。主要起草人方丽霞 、陈卫群 、姚献朋 、黄笑容 、寇文辉 、王新社 、郭红强 、刘丽娟 、肖世豪 、朱晓彤 、张海英 、王江华 、尚海波 、章金兵 。GB/T 19444-2004（全部代替）GB/T 19444-2025即将实施
- 标准号
- GB/T 19444-2025
- 发布日期
- 2025-06-30
- 实施日期
- 2026-01-01
- 全部代替标准
- GB/T 19444-2004
- 标准类别
- 方法
- 中国标准分类号
- H 21
- 国际标准分类号
- 77.040
77 冶金 77.040 金属材料试验 - 归口单位
- 全国半导体设备和材料标准化技术委员会
- 执行单位
- 全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会
- 主管部门
- 国家标准委
标准全文
- 点击查看标准全文。