GB/T 43315-2023 《硅片流动图形缺陷的检测 腐蚀法》-国家标准
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标准基础信息
- 标准号：GB/T 43315-2023
- 标准中文名称：硅片流动图形缺陷的检测 腐蚀法
- 标准英文名称：Test method for flow pattern defects in silicon wafer—Etching technique
国家标准《硅片流动图形缺陷的检测 腐蚀法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，TC203SC2（全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会）执行，主管部门为国家标准化管理委员会。主要起草单位中环领先（徐州）半导体材料有限公司、山东有研半导体材料有限公司、中环领先半导体材料有限公司、浙江海纳半导体股份有限公司、厦门万明电子有限公司、有色金属技术经济研究院有限责任公司、浙江金瑞泓科技股份有限公司、麦斯克电子材料股份有限公司、浙江旭盛电子有限公司。主要起草人朱志高 、陈俊宏 、陈凤林 、高海棠 、李素青 、朱晓彤 、由佰玲 、吕莹 、潘金平 、张海英 、胡晓亮 、方丽霞 、陈跃骅 、黄景明 。GB/T 43315-2023即将实施
- 标准号
- GB/T 43315-2023
- 发布日期
- 2023-11-27
- 实施日期
- 2024-06-01
- 标准类别
- 方法
- 中国标准分类号
- H21
- 国际标准分类号
- 77.040
77 冶金 77.040 金属材料试验 - 归口单位
- 全国半导体设备和材料标准化技术委员会
- 执行单位
- 全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会
- 主管部门
- 国家标准化管理委员会
标准全文
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