GB/T 44517-2024 《微机电系统（MEMS）技术 MEMS膜残余应力的晶圆曲率和悬臂梁挠度试验方法》-国家标准
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标准基础信息
- 标准号：GB/T 44517-2024
- 标准中文名称：微机电系统（MEMS）技术 MEMS膜残余应力的晶圆曲率和悬臂梁挠度试验方法
- 标准英文名称：Micro-electromechanical systems (MEMS) technology—Wafer curvature and cantilever beam deflection test methods for determining residual stresses of MEMS films
国家标准《微机电系统（MEMS）技术 MEMS膜残余应力的晶圆曲率和悬臂梁挠度试验方法》由TC336（全国微机电技术标准化技术委员会）归口，主管部门为国家标准委。主要起草单位合肥美的电冰箱有限公司、中机生产力促进中心有限公司、绍兴中芯集成电路制造股份有限公司、中国科学院空天信息创新研究院、苏州大学、国网智能电网研究院有限公司、苏州慧闻纳米科技有限公司、无锡华润上华科技有限公司、无锡芯感智半导体有限公司、微纳感知（合肥）技术有限公司、深圳市美思先端电子有限公司、宁波科联电子有限公司、美的集团股份有限公司、东南大学、工业和信息化部电子第五研究所、深圳市速腾聚创科技有限公司、华东电子工程研究所（中国电子科技集团公司第三十八研究所）、北京晨晶电子有限公司、南京高华科技股份有限公司、武汉高德红外股份有限公司、安徽北方微电子研究院集团有限公司、广东润宇传感器股份有限公司、无锡韦感半导体有限公司、明石创新（烟台）微纳传感技术研究院有限公司。主要起草人马卓标 、李根梓 、曹诗亮 、谢波 、余庆 、孙立宁 、王军波 、梁先锋 、孙旭辉 、胡永刚 、杨绍松 、许磊 、宏宇 、王雄伟 、钱峰 、周再发 、董显山 、杨旸 、张森 、张红旗 、汤一 、兰之康 、黄晟 、张胜兵 、李海全 、万蔡辛 、高峰 、陈林 。GB/T 44517-2024即将实施本标准等同采用IEC国际标准：IEC 62047-16:2015。采标中文名称:半导体器件 微机电器件 第16部分：MEMS膜残余应力试验方法 晶圆曲率和悬臂梁挠度试验方法。
- 标准号
- GB/T 44517-2024
- 发布日期
- 2024-09-29
- 实施日期
- 2025-04-01
- 标准类别
- 方法
- 中国标准分类号
- L59
- 国际标准分类号
- 31.080.99
31 电子学 31.080 半导体分立器件 31.080.99 其他半导体分立器件 - 归口单位
- 全国微机电技术标准化技术委员会
- 执行单位
- 全国微机电技术标准化技术委员会
- 主管部门
- 国家标准委
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