GB/T 44558-2024 《III族氮化物半导体材料中位错成像的测试 透射电子显微镜法》-国家标准
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标准基础信息
- 标准号:GB/T 44558-2024
- 标准中文名称:III族氮化物半导体材料中位错成像的测试 透射电子显微镜法
- 标准英文名称:Test method for dislocation imaging in III-nitride semiconductor materials—Transmission electron microscopy
国家标准《III族氮化物半导体材料中位错成像的测试 透射电子显微镜法》由TC203(全国半导体设备和材料标准化技术委员会)归口,TC203SC2(全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会)执行,主管部门为国家标准委。主要起草单位中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所、苏州纳维科技有限公司、江苏第三代半导体研究院有限公司、苏州科技大学、北京大学、国家纳米科学中心、北京大学东莞光电研究院、东莞市中镓半导体科技有限公司、TCL环鑫半导体(天津)有限公司、苏州大学、山东浪潮华光光电子股份有限公司、北京国基科航第三代半导体检测技术有限公司。主要起草人曾雄辉 、董晓鸣 、苏旭军 、牛牧童 、王建峰 、徐科 、王晓丹 、徐军 、郭延军 、陈家凡 、王新强 、颜建锋 、敖松泉 、唐明华 、闫宝华 、李艳明 。GB/T 44558-2024即将实施
- 标准号
- GB/T 44558-2024
- 发布日期
- 2024-09-29
- 实施日期
- 2025-04-01
- 标准类别
- 方法
- 中国标准分类号
- H21
- 国际标准分类号
- 77.040
77 冶金 77.040 金属材料试验 - 归口单位
- 全国半导体设备和材料标准化技术委员会
- 执行单位
- 全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会
- 主管部门
- 国家标准委
标准全文
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