GB/T 45716-2025 《半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFETs）的偏置温度不稳定性试验》-国家标准
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标准基础信息
- 标准号：GB/T 45716-2025
- 标准中文名称：半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFETs）的偏置温度不稳定性试验
- 标准英文名称：Semiconductor devices—Bias temperature instability test for metal-oxide semiconductor field-effect transistors (MOSFETs)
国家标准《半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFETs）的偏置温度不稳定性试验》由TC78（全国半导体器件标准化技术委员会）归口，主管部门为工业和信息化部（电子）。主要起草单位工业和信息化部电子第五研究所、河北北芯半导体科技有限公司、上海交通大学、中科院微电子所、厦门芯阳科技股份有限公司、深圳市威兆半导体股份有限公司、浙江朗德电子科技有限公司、中国电子科技集团公司第十三研究所。主要起草人恩云飞 、高汭 、章晓文 、来萍 、柴智 、林晓玲 、陈义强 、周圣泽 、高金环 、任鹏鹏 、都安彦 、李伟聪 、陈磊 、冉红雷 。GB/T 45716-2025即将实施本标准等同采用IEC国际标准：IEC 62373:2006。采标中文名称:金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的偏置温度稳态试验。
- 标准号
- GB/T 45716-2025
- 发布日期
- 2025-05-30
- 实施日期
- 2025-09-01
- 标准类别
- 方法
- 中国标准分类号
- L40
- 国际标准分类号
- 31.080.01
31 电子学 31.080 半导体分立器件 31.080.01 半导体分立器件综合 - 归口单位
- 全国半导体器件标准化技术委员会
- 执行单位
- 全国半导体器件标准化技术委员会
- 主管部门
- 工业和信息化部（电子）
标准全文
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