GB/T 45718-2025 《半导体器件 内部金属层间的时间相关介电击穿（TDDB）试验》-国家标准
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标准基础信息
- 标准号：GB/T 45718-2025
- 标准中文名称：半导体器件 内部金属层间的时间相关介电击穿（TDDB）试验
- 标准英文名称：Semiconductor devices—Time dependent dielectric breakdown (TDDB) test for inter-metal layers
国家标准《半导体器件 内部金属层间的时间相关介电击穿（TDDB）试验》由TC78（全国半导体器件标准化技术委员会）归口，主管部门为工业和信息化部（电子）。主要起草单位工业和信息化部电子第五研究所、吉林华微电子股份有限公司、广东科信电子有限公司、中国电子科技集团公司第二十四研究所、广东汇芯半导体有限公司、上海交通大学、青岛芯瑞智能控制有限公司、电子科技大学。主要起草人高汭 、陈义强 、王铁羊 、柯佳键 、冯宇翔 、雷志锋 、方文啸 、杨晓锋 、俞鹏飞 、来萍 、常江 、罗俊 、纪志罡 、李治平 、宫玉彬 。GB/T 45718-2025即将实施本标准等同采用IEC国际标准：IEC 62374-1:2010。采标中文名称:半导体器件 第1部分: 内部金属层间的时间相关介电击穿(TDDB)试验。
- 标准号
- GB/T 45718-2025
- 发布日期
- 2025-05-30
- 实施日期
- 2025-09-01
- 标准类别
- 方法
- 中国标准分类号
- L40
- 国际标准分类号
- 31.080.01
31 电子学 31.080 半导体分立器件 31.080.01 半导体分立器件综合 - 归口单位
- 全国半导体器件标准化技术委员会
- 执行单位
- 全国半导体器件标准化技术委员会
- 主管部门
- 工业和信息化部（电子）
标准全文
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