GB/T 45719-2025 《半导体器件 金属氧化物半导体（MOS） 晶体管的热载流子试验》-国家标准
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标准基础信息
- 标准号：GB/T 45719-2025
- 标准中文名称：半导体器件 金属氧化物半导体（MOS） 晶体管的热载流子试验
- 标准英文名称：Semiconductor devices—Hot carrier test on metal-oxide semiconductor(MOS) transistors
国家标准《半导体器件 金属氧化物半导体（MOS） 晶体管的热载流子试验》由TC78（全国半导体器件标准化技术委员会）归口，主管部门为工业和信息化部（电子）。主要起草单位工业和信息化部电子第五研究所、西安电子科技大学、国防科技大学、河北北芯半导体科技有限公司、中国电子科技集团公司第五十八研究所。主要起草人路国光 、章晓文 、林晓玲 、游海龙 、杨少华 、彭超 、肖庆中 、韦覃如 、来萍 、梁斌 、张魁 、赵文斌 、晋李华 。GB/T 45719-2025即将实施本标准等同采用IEC国际标准：IEC 62416:2010。采标中文名称:半导体器件 MOS晶体管的热载流子试验。
- 标准号
- GB/T 45719-2025
- 发布日期
- 2025-05-30
- 实施日期
- 2025-09-01
- 标准类别
- 方法
- 中国标准分类号
- L40
- 国际标准分类号
- 31.080.01
31 电子学 31.080 半导体分立器件 31.080.01 半导体分立器件综合 - 归口单位
- 全国半导体器件标准化技术委员会
- 执行单位
- 全国半导体器件标准化技术委员会
- 主管部门
- 工业和信息化部（电子）
标准全文
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