GB/T 45720-2025 《半导体器件 栅介质层的时间相关介电击穿（TDDB）试验》-国家标准
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标准基础信息
- 标准号：GB/T 45720-2025
- 标准中文名称：半导体器件 栅介质层的时间相关介电击穿（TDDB）试验
- 标准英文名称：Semiconductor devices—Time dependent dielectric breakdown (TDDB) test for gate dielectric films
国家标准《半导体器件 栅介质层的时间相关介电击穿（TDDB）试验》由TC78（全国半导体器件标准化技术委员会）归口，主管部门为工业和信息化部（电子）。主要起草单位工业和信息化部电子第五研究所、吉林华微电子股份有限公司、安徽长麦智能科技有限公司、中国科学院半导体研究所、广东汇芯半导体有限公司、贵州振华风光半导体股份有限公司、河北北芯半导体科技有限公司、东莞赛诺高德蚀刻科技有限公司、中芯国际集成电路制造(上海)有限公司、中国电子科技集团公司第十三研究所、深圳市森美协尔科技有限公司。主要起草人陈义强 、来萍 、高汭 、蔡荣敢 、冯宇翔 、王力纬 、董显山 、肖庆中 、陈媛 、常江 、刘岳阳 、刘岗岗 、裴选 、张亮旗 、冯军宏 、迟雷 、夏自金 、刘世文 。GB/T 45720-2025即将实施本标准等同采用IEC国际标准：IEC 62374:2007。采标中文名称:半导体器件 栅介质层的时间相关介电击穿（TDDB）试验。
- 标准号
- GB/T 45720-2025
- 发布日期
- 2025-05-30
- 实施日期
- 2025-09-01
- 标准类别
- 方法
- 中国标准分类号
- L55
- 国际标准分类号
- 31.080.01
31 电子学 31.080 半导体分立器件 31.080.01 半导体分立器件综合 - 归口单位
- 全国半导体器件标准化技术委员会
- 执行单位
- 全国半导体器件标准化技术委员会
- 主管部门
- 工业和信息化部（电子）
标准全文
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