GB/T 45721.1-2025 《半导体器件 应力迁移试验 第1部分：铜应力迁移试验》-国家标准
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标准基础信息
- 标准号：GB/T 45721.1-2025
- 标准中文名称：半导体器件 应力迁移试验 第1部分：铜应力迁移试验
- 标准英文名称：Semiconductor devices—Stress migration test—Part 1: Copper stress migration test
国家标准《半导体器件 应力迁移试验 第1部分：铜应力迁移试验》由TC78（全国半导体器件标准化技术委员会）归口，主管部门为工业和信息化部（电子）。主要起草单位工业和信息化部电子第五研究所、中国电子科技集团公司第五十八研究所、河北北芯半导体科技有限公司、华南理工大学、杭州飞仕得科技股份有限公司、广东工业大学、广东气派科技有限公司、中绍宣标准科技集团有限公司。主要起草人黄云 、肖庆中 、高汭 、韦覃如 、成立业 、雷登云 、周振威 、陈思 、黄钦文 、贾沛 、赵海龙 、姚若河 、李军 、万永康 、虞勇坚 、刘东月 、陈勇 、崔从俊 。GB/T 45721.1-2025即将实施本标准等同采用IEC国际标准：IEC 62880-1:2017。采标中文名称:半导体器件 应力迁移试验标准 第1部分：铜应力迁移试验标准。
- 标准号
- GB/T 45721.1-2025
- 发布日期
- 2025-05-30
- 实施日期
- 2025-09-01
- 标准类别
- 方法
- 中国标准分类号
- L40
- 国际标准分类号
- 31.080.01
31 电子学 31.080 半导体分立器件 31.080.01 半导体分立器件综合 - 归口单位
- 全国半导体器件标准化技术委员会
- 执行单位
- 全国半导体器件标准化技术委员会
- 主管部门
- 工业和信息化部（电子）
标准全文
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