GB/T 45722-2025 《半导体器件 恒流电迁移试验》-国家标准
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标准基础信息
- 标准号：GB/T 45722-2025
- 标准中文名称：半导体器件 恒流电迁移试验
- 标准英文名称：Semiconductor devices—Constant current electromigration test
国家标准《半导体器件 恒流电迁移试验》由TC78（全国半导体器件标准化技术委员会）归口，主管部门为工业和信息化部（电子）。主要起草单位工业和信息化部电子第五研究所、西安电子科技大学、中国电子科技集团公司第十三研究所、深圳市威兆半导体股份有限公司、深圳市诚芯微科技股份有限公司、广东工业大学、中绍宣标准科技集团有限公司、深圳市天成照明有限公司。主要起草人章晓文 、林晓玲 、游海龙 、周斌 、尹丽晶 、贺致远 、来萍 、张战刚 、雷登云 、王铁羊 、孟苓辉 、陈义强 、彭浩 、李伟聪 、曹建林 、崔从俊 、林坚耿 。GB/T 45722-2025即将实施本标准等同采用IEC国际标准：IEC 62415:2010。采标中文名称:半导体器件 恒流电迁移试验。
- 标准号
- GB/T 45722-2025
- 发布日期
- 2025-05-30
- 实施日期
- 2025-09-01
- 标准类别
- 方法
- 中国标准分类号
- L40
- 国际标准分类号
- 31.080.01
31 电子学 31.080 半导体分立器件 31.080.01 半导体分立器件综合 - 归口单位
- 全国半导体器件标准化技术委员会
- 执行单位
- 全国半导体器件标准化技术委员会
- 主管部门
- 工业和信息化部（电子）
标准全文
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