收录自国家标准信息平台，认准啦(RenZhunLa.com)为执行该国家标准的产品或服务提供推介展位，欢迎留言交流。 标准基础信息 标准号：GB/T 45719-2025 标准中文名称：半导体器件 金属氧化物半导体（MOS） 晶体管的热载流子试验 标准英文名称：Semiconductor devices—Hot carrier test on metal-oxide semiconductor(MOS) transistors 国家标准《半导体器件 金属氧化物半导体（MOS） 晶体管的热载流子试验》由TC78（全国半导体器件标准化技术委员会）归口，主管部门为工业和信息化部（电子）。主要起草单位工业和信息化部电子第五研究所、西安电子科 …
认准啦，用技术呵护全家！收录自国家标准信息平台，认准啦(RenZhunLa.com)为执行该国家标准的产品或服务提供推介展位，欢迎留言交流。 标准基础信息 标准号：GB/T 45718-2025 标准中文名称：半导体器件 内部金属层间的时间相关介电击穿（TDDB）试验 标准英文名称：Semiconductor devices—Time dependent dielectric breakdown (TDDB) test for inter-metal layers 国家标准《半导体器件 内部金属层间的时间相关介电击穿（TDDB）试验》由TC78（全国半导体器件标准化技术委员会）归口，主管部门为工业和信息化部（电子）。主要起草单位工业和信息化部电子第五研究 …
认准啦，用技术呵护全家！收录自国家标准信息平台，认准啦(RenZhunLa.com)为执行该国家标准的产品或服务提供推介展位，欢迎留言交流。 标准基础信息 标准号：GB/T 45716-2025 标准中文名称：半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFETs）的偏置温度不稳定性试验 标准英文名称：Semiconductor devices—Bias temperature instability test for metal-oxide semiconductor field-effect transistors (MOSFETs) 国家标准《半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFETs）的偏置温度不稳定性试验》由TC78（全国半导体器 …
认准啦，用技术呵护全家！收录自国家标准信息平台，认准啦(RenZhunLa.com)为执行该国家标准的产品或服务提供推介展位，欢迎留言交流。 标准基础信息 标准号：GB/T 45722-2025 标准中文名称：半导体器件 恒流电迁移试验 标准英文名称：Semiconductor devices—Constant current electromigration test 国家标准《半导体器件 恒流电迁移试验》由TC78（全国半导体器件标准化技术委员会）归口，主管部门为工业和信息化部（电子）。主要起草单位工业和信息化部电子第五研究所、西安电子科技大学、中国电子科技集团公司第十三研究所、深圳市威兆半导体股份有限公司、深圳市诚芯微科技股份有限公司、广东工业大学、 …
认准啦，用技术呵护全家！收录自国家标准信息平台，认准啦(RenZhunLa.com)为执行该国家标准的产品或服务提供推介展位，欢迎留言交流。 标准基础信息 标准号：GB/T 45721.1-2025 标准中文名称：半导体器件 应力迁移试验 第1部分：铜应力迁移试验 标准英文名称：Semiconductor devices—Stress migration test—Part 1: Copper stress migration test 国家标准《半导体器件 应力迁移试验 第1部分：铜应力迁移试验》由TC78（全国半导体器件标准化技术委员会）归口，主管部门为工业和信息化部（电子）。主要起草单位工业和信息化部电子第五研究所、中国电子科技集团公司第五十八研究 …
认准啦，用技术呵护全家！收录自国家标准信息平台，认准啦(RenZhunLa.com)为执行该国家标准的产品或服务提供推介展位，欢迎留言交流。 标准基础信息 标准号：GB/T 45720-2025 标准中文名称：半导体器件 栅介质层的时间相关介电击穿（TDDB）试验 标准英文名称：Semiconductor devices—Time dependent dielectric breakdown (TDDB) test for gate dielectric films 国家标准《半导体器件 栅介质层的时间相关介电击穿（TDDB）试验》由TC78（全国半导体器件标准化技术委员会）归口，主管部门为工业和信息化部（电子）。主要起草单位工业和信息化部电子第五研究所、 …
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