GB/T 11073-2025 《硅片径向电阻率变化测量方法》-国家标准
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标准基础信息
- 标准号：GB/T 11073-2025
- 标准中文名称：硅片径向电阻率变化测量方法
国家标准《硅片径向电阻率变化测量方法》 由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）、全国有色金属标准化技术委员会联合归口，TC203SC2（全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会）执行 ，主管部门为国家标准委。 主要起草单位 麦斯克电子材料股份有限公司 、洛阳鸿泰半导体有限公司 、杭州中欣晶圆半导体股份有限公司 、山东有研艾斯半导体材料有限公司 、中环领先半导体科技股份有限公司 、浙江中晶科技股份有限公司 、浙江海纳半导体股份有限公司 、浙江金瑞泓科技股份有限公司 、上海新昇半导体科技有限公司 、上海合晶硅材料股份有限公司 、广东先导微电子科技有限公司 。 主要起草人 方丽霞 、郭可 、马武祥 、邢胜昌 、张志林 、寇文杰 、王江华 、朱晓彤 、邓春星 、黄笑容 、潘金平 、李慎重 、冯天 、尚海波 、马金峰 。 GB/T 11073-2007 （全部代替） GB/T 11073-2025 即将实施
- 标准号
- GB/T 11073-2025
- 发布日期
- 2025-10-31
- 实施日期
- 2026-05-01
- 全部代替标准
- GB/T 11073-2007
- 标准类别
- 方法
- 中国标准分类号
- H17
- 国际标准分类号
- 77.040
77 冶金 77.040 金属材料试验 - 归口单位
- 全国半导体设备和材料标准化技术委员会、全国有色金属标准化技术委员会
- 副归口单位
- 全国有色金属标准化技术委员会
- 执行单位
- 全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会
- 主管部门
- 国家标准委
标准全文
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