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| 标准详细信息 |
|---|
| 标准状态 | 现行 |
| 标准编号 | T/CASAS 006—2020 |
| 中文标题 | 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管通用技术规范 |
| 英文标题 | The general specification for silicon carbide metal-oxide-semiconductor field-effect-transistor |
| 国际标准分类号 | 29.045 |
| 中国标准分类号 | |
| 国民经济分类 | C397 电子器件制造 |
| 发布日期 | 2020年12月28日 |
| 实施日期 | 2021年01月01日 |
| 起草人 | 许恒宇、李金元、刘奥、万彩萍、刘鹏飞、刘国友、孙博韬 |
| 起草单位 | 中国科学院微电子研究所、全球能源互联网研究院有限公司、中国电子科技集团公司第五十五研究所、华大半导体有限公司、株洲中车时代电气股份有限公司、北京世纪金光半导体有限公司 |
| 范围 | 本文件规定了碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（以下简称“晶体管”）的术语、符号、基本额定值和特性、检验要求、测量与试验方法。 |
| 主要技术内容 | 本文件充分借鉴了IEC 60747-8-4 Discrete Semiconductor devices - Part 8-4:Metal-oxide-semiconductor field-effect-transistors for power switching applications的内容，并结合了近几年科研人员在SiC MOSFET功率器件的研发、测试评估以及应用方面的经验总结，对SiC MOSFET的动静态参数、可靠性考核测试方法等进行了详细的规定，但局限于当前科研人员对SiC MOSFET器件的认知，以及该产品生产与应用所处的发展阶段，可能还存在一些不足的地方，后续将根据研究进展不断进行完善和升级。 |
| 是否包含专利信息 | 否 |
| 标准文本 | 查看 |
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| 团体详细信息 |
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| 团体名称 | 北京第三代半导体产业技术创新战略联盟 |
| 登记证号 | 51110000MJ0118585E | 发证机关 | 北京市民政局 |
| 业务范围 | 技术研发，成果转化；咨询培训 ； 会议会展 ；承办委托； 国际交流 |
| 法定代表人/负责人 | 于坤山 |
| 依托单位名称 | |
| 通讯地址 | 北京市海淀区清华东路甲35号五号楼五层 | 邮编 : 100083 |
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