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| 标准详细信息 |
|---|
| 标准状态 | 现行 |
| 标准编号 | T/CASAS 007—2020 |
| 中文标题 | 电动汽车用碳化硅（SiC）场效应晶体管（MOSFET）模块评测规范 |
| 英文标题 | Test Specification for Silicon Carbide（SiC）Field-effect Transistors（MOSFET）Module of Electric Vehicles |
| 国际标准分类号 | 31.080.01 半导体器分立件综合 |
| 中国标准分类号 | |
| 国民经济分类 | C3670 汽车零部件及配件制造 |
| 发布日期 | 2020年05月25日 |
| 实施日期 | 2020年05月25日 |
| 起草人 | 滕鹤松、温旭辉、郭清、王玉林、刘国友、张瑾、牛利刚、邵帅、吴维丽、梅云辉。 |
| 起草单位 | 中国电子科技集团公司第五十五研究所、中国科学院电工研究所、浙江大学、扬州国扬电子有限公司、株洲中车时代电气股份有限公司、天津大学。 |
| 范围 | |
| 主要技术内容 | 随着电动汽车行业的迅猛发展，对驱动系统的小型化和轻量化提出了更高的要求。基于SiC的解决方案使电动汽车驱动系统效率更高、重量更轻及结构更加紧凑，近几年已经逐渐在电动汽车行业得到应用。然而，目前国内外尚无针对SiC功率模块的规范和标准，缺少电动汽车行业SiC MOSFET模块的统一指导性文件，影响了SiC MOSFET模块在电动汽车行业的通用化。
本规范针对电动汽车用的SiC MOSFET模块，从性能参数、评测程序等方面对SiC MOSFET模块进行了规范，可以用于电动汽车行业对SiC MOSFET模块的初步评价。 |
| 是否包含专利信息 | 否 |
| 标准文本 | 查看 |
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| 团体详细信息 |
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| 团体名称 | 北京第三代半导体产业技术创新战略联盟 |
| 登记证号 | 51110000MJ0118585E | 发证机关 | 北京市民政局 |
| 业务范围 | 技术研发，成果转化；咨询培训 ； 会议会展 ；承办委托； 国际交流 |
| 法定代表人/负责人 | 于坤山 |
| 依托单位名称 | |
| 通讯地址 | 北京市海淀区清华东路甲35号五号楼五层 | 邮编 : 100083 |
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