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| 标准详细信息 |
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| 标准状态 | 现行 |
| 标准编号 | T/IAWBS 002—2017 |
| 中文标题 | 碳化硅外延片表面缺陷测试方法 |
| 英文标题 | |
| 国际标准分类号 | 29.045 |
| 中国标准分类号 | |
| 国民经济分类 | C398 电子元件及电子专用材料制造 |
| 发布日期 | 2017年12月20日 |
| 实施日期 | 2017年12月31日 |
| 起草人 | 钮应喜、杨霏、温家良、吴军民、潘艳、陈志霞、刘丹、冯淦、张新河、田亮、田红林、吴昊、李玲、李永平、张文婷、李嘉琳、焦倩倩、李赟、王英民、贾仁需、刘兴昉、陆敏、彭同华、刘振洲 |
| 起草单位 | 中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟、全球能源互联网研究院有限公司、瀚天天成电子科技（厦门）有限公司、东莞市天域半导体科技有限公司、北京天科合达半导体股份有限公司、中国电子科技集团公司第五十五研究所、中国电子科技集团公司第二研究所、西安电子科技大学、中国科学院半导体研究所 |
| 范围 | |
| 主要技术内容 | 本标准规定了功率器件用碳化硅外延片表面缺陷的无损光学测量方法。
本标准适用于同质的超过（含）2微米厚的碳化硅外延层。
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| 是否包含专利信息 | 否 |
| 标准文本 | 查看 |
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| 团体详细信息 |
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| 团体名称 | 中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟 |
| 登记证号 | 51110000MJ0117961F | 发证机关 | 北京市民政局 |
| 业务范围 | 产业技术研发、科技成果转化、信息平台与专业数据库建设、自主品牌推广、专业咨询培训与会展、承接政府委托、国际交流与合作。 |
| 法定代表人/负责人 | 刘祎晨 |
| 依托单位名称 | 无 |
| 通讯地址 | 北京市大兴区天荣街9号世农大厦3层 | 邮编 : 102600 |
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